混合PiNSchottky二极管的研究.pdfVIP

第 22卷 第 l5期 电子设计工程 2014年 8月 V01．22 No．15 ElectronicDesignEngineering Aug．2014 混合 PiN／Schottky二极管的研究 关艳霞。李银娜 (沈 阳工业大学 信 息科学与工程学院，辽宁 沈阳 110870) 摘要 ：对混合PiN／Schottky二极管(MPS)进行研 究，首先对MPS二极管的工作原理进行 了分析 ，通过对MPS二极管、 肖特基二极管、PIN二极管的伏安特性进行模拟 ，结果表 明MPS二极管正 向压 降小，电流密度大 ．反 向漏电流小，是一 种具有 肖特基正向特性和PN结反向特性的新型整流器．可以通过改变 肖特基和 PN结的面积 比来调整 MPS二极管 的性能，与 肖特基二极管和 PIN二极管相 比具有 明显的优势，是功率系统不可或缺的功率整流管。 关键词 ：MPS；PiN；Schottky；伏安特性 ；模拟 中图分类号 ：TN31 文献标识码 ：A 文章编号 ：1674—6236(2014)15．0140—03 StudyofmergedPiN，Schottkydiode(MPS) GUAN Yan—xia，LIYin．na (CollegeofInformationScienceandEngineering，ShenyangUniversityofTechnology，Shenynag110870，China) Abstract：ThemainpurposeofthispaperistostudythemergedPiN／Schottkydiode (MPS)．Firstly，theMPSdiodeoperating principleisanalyzed，Thoughthevolt-amperecharacteristicsofmergedPiN／Schottkydiode (MPS)、Schottkydiode、PiNdiode weresimulated，theresultsshowthattheMPSdiodeforwardvoltagedropissmall，currentdensityisbig，reverseleakageis small，isakindofSchottkyforwardcharacteristicsandPNjunctionreversecharacteristicsofthenewrectifier．Bychanging SchottkyandPNjunctionarearatiotoadjusttheperformanceofMPSdiode，comparedwithSchottkydiodeandPiNdiodehas obviousadvantages，isanindispensablepowerrectifierofpowersystem． Keywords：MPS；PiN；Schottky；Volt-amperecharacteristics；simulate 电力 电子技术 的发展使作为电力 电子技术重要基础 的 其 中载流子 的浓度分布发生变化 。同时 ，PN结势垒和 肖特基 电力电子器件得到了广泛 的关注和研究。功率整流管是 电力 势垒下 降．肖特基和 PN 结均未导通 ，所 以漂移 区的电子浓 电子器件 中结构最简单 ，应用最广泛 的一种开关器件 。从器 度梯度近似为零 ；第二个过程 ，随着 电压 的继续升高 ，肖特 件结构上 ．功率整流管大致可 以分为三种 ：PiN二极管 ，肖特 基 区域首先导通 ，漂移 区和沟道 区的少数载流子浓度梯度不 基二极管 (SBD)，MPS二极管 (MergedPiNSchottkydiodes)。 再为零 ，外延层 的电子通过 肖特基 区域形成 的沟道进入金 MP