脉冲恢复技术测量有限宽基区HgCdTe光电二极管少子寿命.pdfVIP

第33卷第2期 红 外 与 毫 米 波 学 报 Vo1．33．No．2 2014年 4月 J．InfraredM illim．W aves April，2014 文章编号：1001—9014(2014)02一Ol17—06 DOI：10．3724／SP．J．1010．2014．00117 Determinationofm inoritycarrierlifetime inafinitebaseHgCdTephotodiode： Pulserecovery technique CUIHao—Yang ， XUYong-Peng， ZENGJun·Dong， YANGJun—Jie， TANGZhong (Schoolofelectronicandinformationengineering，ShanghaiUniversityofElectricPower，Shanghai 200090，China) Abstract：Anexperimentalstudyoftheminorityear／JarlifetimeinafinitebaseHgCdTen 一on—Pphotodiodeusingpulsere— coverytechnique(PRT)ispresentedinthispaper．Thereverserecoverystoragetime(t)isfunctionsoftheforwardcur- rent，Fandreversecurrent，l{．Averageminoritycarrier(electron)lifetimes(r)calculatedfromtandIv／IRstronglyin— creaseswithdecreasingratioofthebasethicknesstothediffusionlength．Theminoritycarrier(electron)lifetimeextracted rfom theconventionaltheoryisapproximately28nsat77 K，muchlessthanthevalueof51nsobtainedwhenshortbase effectsareconsideredintheanalysis．Thisrevealsthatthebasethicknessofthephotodiodeisanimportantparameterfor theminoritycartierlifetimemeasurementusingPRT．Theinfinitebaseassumptionisvalidonlyifthebasethicknessislar- gerthanaboutthreetimesthediffusionlengthofminoritycarriers． Keywords：HgCdTe，minoritycarrierlifetime，pulserecoverytechnique，diffusionlength PACS：72．80．Ey 脉冲恢复技术测量有限宽基区HgCdTe光 电二极管少子寿命 崔昊杨 ，许永鹏，曾俊冬，杨俊杰，唐 息 (上海电力学院 电子与信息工程学院，上海 200090) 摘要：利用脉冲恢复技术测量 了有限宽基区n 一on—P光电二极管中的少子寿命．实验发现，反向恢复时间同正、反 向电流的大小有关．从恢复时间t与，／，R函数关系提取的少子寿命随着基 区厚度与少子扩散长度比值降低而明 显增大．在77K时，采用传统方法脉冲回复技术提取的少子寿命为28ns，而当考虑短基 区效应时，所提取的少子寿 命为51ns．这表明HgCdTe光电二极管的基区厚度与少子扩散长度比值