PN结的瞬态效应讲解.pptVIP

第八章 pn结二极管的瞬态特性 8.1 瞬态关断特性 8.2瞬态开启特性 p-n结的反向瞬变过程可分为电流恒定和电流衰减两个阶段，相应的瞬变时间分别以ts和tr表示。ts称为存储时间；tr称为下降时间，trr=ts+tr即为反向恢复时间,(它是反向电流衰减到它的最大值的10%所需的时间）它比偏压从正向突变为反向的瞬变时间长的多。 图c可看出 （1）0tts区间pn结保持正偏（少子积累），即使外加电压达到使它反偏的程度也仍然如此 （2）t=ts点 va=0 正偏 ?耗尽区边界有少子积累， 反之， 耗尽区边界有少子积累?pn结处于正偏。 例题8.1 定性分析IF，IR，?p等对电荷存储时间和反响恢复时间即对i-t时间曲线的影响。 3.存贮延迟时间的定量分析 6.3 .1 电荷控制方法： 在p+n结二极管中，n区在t时刻x处的过剩少子?p(x,t) 则，整个中性区的过剩空穴电荷为： 3.存贮延迟时间的定量分析 为简单起见，以p+n结为例。 在p+n结中，存贮在n型一侧的空穴为QP, 存贮在p型一侧的电子可忽略。 QP满足连续性方程： 分离变量积分得： 1。定性分析 在响应的第一阶段，即从t=0到va=0的过程极其短暂，只要有少数几个少子的注入，就把结电压提高到0了。多数载流子也迅速再分布使耗尽区缩小到零偏的宽度。 为简单起见，以理想p+n突变结二极管为例： 作为一级近似，开启过程用vA(t)代替VA 结论：瞬态开启过程也随IF和?p的增加而增 加，因为达到稳态所需的电荷与二 着成正比Q=IF?p= IF?n 在开启阶段只需很短的时间(约0.01 ?p)内，电压就能增加到接近二极管 的正向工作所需的开启电压。 Pn结原理图 * * 8.1 瞬态关断特性 1、关断延迟和延迟时间 正向时有电流IF流过p-n结；然后开关S接到右边，加一反向偏压，此时通过p-n结的电流并不是立即变为反向饱和电流Is,而是先经过一个较大的恒定反向电流IR阶段，然后再逐渐衰减到Is. 由正向偏置到反向偏置的瞬态响应 （1）电荷存储和反向恢复时间 正偏时，电子从n区注入到p区，空穴从p区注入到 n区，在耗尽层边界有少子的积累。导致p-n结内有等量的过剩电子和空穴-电荷的存储。 突然反向时，这些存储电荷不能立即去除，积累电荷消除有两种途径：复合和漂移。都需要经过一定时间ts, p-n结才能达到反偏状态，这个时间为反向恢复时间 2。存贮延迟的的定性分析 （2）在0 t ts时间内二极管是如何保持正偏的？ 在0 t ts时间段p+-n二极管中存贮空穴电荷随时间的衰减 (1) (2) (3) (1)?q,利用（2）可得到（3） 因为当0tts 时， i=-IR，所以有 结论：存贮时间随着IF的增加而增加，随着IR的 增加而减少，并且与?p成正比。 制作开关二极管可通过缩短少子寿命提高开关速度，有目的的引入复合中心， 这个结论可用来测量少子寿命 示波器 信号发生器 直流电源 近似解的理论曲线 精确解的理论曲线 Ge,Si 二极管的测量值 8.2 瞬态开启特性 用电流或电压脉冲把二极管从反偏状态切换到正偏状态的瞬态开启过程：i=0开始的瞬态开启如下： 电流脉冲 电压-时间响应 2。定量分析 分离变量解方程得： 稳态条件下理想二极管中的空穴存贮电荷为 又因为 二式联立求解，可得电压随时间的响应规律 在瞬态开启期间p+n二极管内部空穴存贮电荷的积累 *