01 第四章　常用半导体器件原理.pptVIP

* 4.4.4　直流偏置下晶体管的工作状态分析 　　实际应用需要使晶体管处于放大状态、饱和状态或截止状态，从而实现不同的功能。这是通过控制发射结和集电结的正偏与反偏来实现的。 　　确定直流偏置下晶体管工作状态的基本步骤： 　　1．根据外电路电源极性判断发射结是正偏还是反偏。如果发射结反偏或正偏电压不到 | UBE(on) | ，则晶体管处于截止状态，IB、IC和IE均为零，再由外电路计算极间电压UBE、UCE和UCB； 　　2．如果第1步判断发射结正偏电压达到 | UBE(on) | ，则晶体管处于放大状态或饱和状态，再判断集电结是正偏还是反偏。如果集电结反偏，则晶体管处于放大状态，这时UBE = UBE(on) 。根据外电路和UBE(on) 计算IB，接下来IC = bIB，IE = IB + IC。再由这三个极电流和外电路计算UCE和UCB； 　　3．如果第2步判断集电结正偏，则晶体管处于饱和状态。这时 UBE = UBE(on) ，UCE = UCE(sat) ，UCB = UCE - UBE，再由这三个极间电压和外电路计算IB、IC和IE。 * ［例4.4.1］晶体管直流偏置电路如图所示，已知晶体管的UBE(on) = 0.6 V，? = 50。当输入电压UI分别为0 V、3 V和5 V时，判断晶体管的工作状态，并计算输出电压UO。 解：晶体管三个极电流的正方向如图中所示。当UI = 0 V时，晶体管处于截止状态，IC = 0，UO = UCC - ICRC = 12 V；当UI = 3 V时，晶体管处于放大或饱和状态，假设晶体管处于放大状态，IB = [UI - UBE(on)] / RB = 40 ?A，IC = bIB = 2 mA，UCB = UC - UB = (UCC - ICRC) - UBE(on) = 3.4 V 0，所以集电结反偏，假设成立，UO = UC = 4 V；当UI = 5 V时，计算得到UCB = - 3.28 V 0，所以晶体管处于饱和状态，UO = UCE(sat) 。 * ［例4.4.2］晶体管直流偏置电路如图所示，已知晶体管的UBE(on) = - 0.7 V，? = 50。判断晶体管的工作状态，并计算IB、IC和UCE。 解：图中晶体管是PNP型，UBE(on) = UB - UE = (UCC - IBRB) - IERE = UCC - IBRB - (1+b)IBRE = - 0.7 V，得到IB = - 37.4 ?A 0，所以晶体管处于放大或饱和状态。IC = bIB = - 1.87 mA，UCB = UC - UB = (UCC - ICRC) - (UCC - IBRB) = - 3.74 V 0，所以集电结反偏，晶体管处于放大状态，IB = - 37.4 ?A，IC = - 1.87 mA，UCE = UCB + UBE(on) = - 4.44 V。 * 4.5.1　结型场效应管 4.5　场效应管 * 一、工作原理 饱和电流 IDSS 夹断电压UGS(off) 栅极电流 IG ? 0 输入阻抗很大 UGS增大?导电沟道变窄?ID减小 * 二、输出特性 恒流区(| uGS | ? | UGS(off) |且| uDG | = | uDS - uGS | | UGS(off) | ) uGS和iD为平方率关系。预夹断导致uDS对iD的控制能力很弱。 可变电阻区(| uGS | ? | UGS(off) |且 | uDG | | UGS(off) |) uDS的变化明显改变iD的大小。 截止区(| uGS | | UGS(off) |) iD = 0 * 三、转移特性 预夹断 * 4.5.2　绝缘栅场效应管 　　绝缘栅场效应管记为MOSFET，根据结构上是否存在原始导电沟道，MOSFET又分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET。 * 一、工作原理 UGS = 0 ID ＝ 0 UGS UGS(th) 电场 反型层 导电沟道 ID 0 UGS控制ID的大小 N沟道增强型MOSFET * 　　N沟道耗尽型MOSFET在UGS = 0时就存在ID = ID0。UGS的增大将增大ID。当UGS 0时，且| UGS | 足够大时，导电沟道消失，ID = 0，此时的UGS为夹断电压UGS(off) 。 N沟道耗尽型MOSFET 二、特性曲线 预夹断 N沟道增强型MOSFET * ?n为导电沟道中自由电子运动的迁移率； Cox为单位面积的栅极电容； W 和 L分别为导电沟道的宽度和长度，W