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二元掺杂系列’+巨磁电阻特性研究 A?A; 2;?, 2?;AZ?,S ?Y: ;Y[ZY;;AZY[ 二元掺杂系列 $ 材料 !# %’ #*#+ 巨磁电阻特性研究 ! ! ! ! ! ! # 陈水源 ,赖 恒 ,肖 艳 ,陈志高 ,冯 倩 ,黄志高 !$ 福建师范大学,福建福州 %’’’ * 南京大学,江苏南京 #$ #!’’+% :用固相反应法制备了二元掺杂系列 * , , , , , 多晶材料;在 摘 要 ,- /- 0- 234 ! 5’ ’$ 6’ ’$ 6 ’$ ’$ 7’ !$ ’ #% ! !1 ! !% % 8 96#’ 8范围内测量了样品的电阻和磁电阻。结果表明,所制备的系列样品电阻率与温度的关系具有明显的双电阻 峰结构;在 5 8 9%’ 8范围内,样品均有相似的磁电阻行为:在低温区 # $ 为居里温度 ,磁电阻 % 随 / / 的下降几乎线性增加,在此区域采用用自旋极化电子隧道效应和局域化模型较好地解释了电阻和磁电阻行为。在较低温 度 都有较大的 值,这与单晶材料和薄膜材料的 行为完全不同,这一差异是由于晶界效应所致;在 8 9!’’ 8 % % 附近,样品都出现了磁电阻峰。在 区域,电阻率、磁电阻都随温度的升高而迅速下降,样品在高温 附近及 / ’ / / ’ 模型与非磁无序来说明。通过掺杂研究发现,掺杂量 区域 的这一行为可用双交换 :; !为 ’$ , ’$ 7’的 #种样品在 / 室温下具有较大的磁电阻,在 5!$ # 时分别达到 !6$ 和 !+$ 。 关键词:磁电阻;电阻;隧道效应;晶界效应;非磁无序 中图法分类号:46#$ 文献标识码:? 文章编号:!’’#1!@ #’’% ’1’7!1’7 近年来在一些钙钛矿结构 系列材料中 性,并对可能的机理作了探讨。同时发现 , 掺 ,-1?12314 /- 0- L M ! 9 观察到了 效应 , 杂比例不同对结果有重要影响。 /2A BCDCEE-D F-G3HICJHEKEI-3BH 从而引起了人们的广泛关注。NHDFCDI等人在室温、 外加磁场为 下在 ,-10-12314材料中观察到了 实 验 , * 的磁电阻; 等人在 % 5! ’ 57’ /O-O-J- ,-1/-12314 单晶中得到了 % 5 ! * 5 * 用固相反应法制备了系列,- /- 0- 234样 #.% ! ! *! ! .% % * !# ’’ 57 5 8 的磁电阻;PQ$ 8RC3$ 品 , , , , , 。具体做法 ! 5 ’ ’$ 6’ ’$ 6 ’$ ’$ 7’ !$ ’ 等人在 下从 材料中 5 5#7’ 8 ,-’$ SJ’$ #234% 是:将 , , 和 按所需比例均 ,-#4% /-/4% 0-/4% 234# 获得了磁电阻为 。在此以后,人们已从工 % 57’ 匀混和研磨;在 !’ 2T-压力下制成圆片状,然后在 艺技术、外界条件、微观结构等方面对 /2A材料进行 ! ’’’U环境中预烧 !’ O,自然冷却到室温;之后再 L7 9 M 许多的研究,取得了较大的进展 。虽然单晶和薄 对样品进行研磨;在 压力下制成 %’ 2T- !!% FF 膜有很高的磁电阻,但大多要求在低温和强磁场,这 的圆片,在 空气环境中烧结 ;最后以 ! #+’U #6 O 对于应用是很不利的。寻找室温附近及低场下具有高 %UFK3的速率将样品冷却至 ’’U,再自然冷却 磁场灵敏度的磁电阻材料,成为实现 /2A应用的突 至室温。样品尺寸为 * ! BF V ’$ 6 BF V ’$ ’ BF 9 L! # 9 +M * 破口。从已有的工作 可以看到 ,-1/- 0- SJ 采用标准四引线法测量其磁电阻行为。 ’$ ! BF 最有可能实现低场室温高磁阻的条件。 12314 磁场变化范围为 ’ 9 !$ # ,其方向与电流方向平 L M !’ 2CQIKE 等人对此系列材料的结构作了研究,但对 行。磁电阻的变化率 %值定义如下: 材料的磁电阻行为并没有涉及。本试验详细地研究 * * * * % 5 + W ’ ’ V !’’ 了 * 系列材料的电阻和磁电阻特 ,-1 /- 0- 12314 * * 分别代表外加磁场为 和 时的电阻率。 ’ + ’ + 收稿日期:#’’#1’!1#7 基金项目\ 福建省自然科学基金资助项目*;’’!’’##]教育部骨干教师资助项目*0:’6!]教育部高等学校骨干教师资助计划项目 *:0’6! 作者简介 陈水源,男, 年,硕士研究生,福建师范大学物理与光电信息科技学院,福建 福州 ,电话: \ !+ %’’’ !%+7’#% ;1F-KD