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基于LINUX操作系统的NAND FLASH在生产预抄写问题之分析 导言： 自2010年9月MS98、MS48I系列带有操作系统的IPTV在工厂大批量产，由于此系列机芯采用NAND FLASH作为程序存储器，而NAND FLASH对预抄写的文件及抄写设备都有较复杂的要求，且由于这些问题具有较高的隐蔽性，在初期的验证和试产是无法完整出现的，因此只有在量产的生产过程出现了不少的问题，但随着问题的解决，从最初的24%不良率，逐渐下降至13%、1%、0.7%，直至目前的0.3%，并已有解决方案验证中。 以下文字主要通过解决的主要问题进行阐述，便于相关人员对后续产品就NAND FLASH的使用及抄写有一定的了解，和对问题的分析与判断，提供一些参考和经验。 关键词：NAND FLASH、BBT/BBM（坏块表/坏块管理）、写入/擦除。 正文： FLASH详解 1、什么是Flash Flash全名为Flash Memory，一种数据存储设备，Flash属于非易失性存储设备（Non-volatile Memory Device，即数据存储时不因掉电而造成数据丢失，类似的设备有硬盘、ROM等），与此相对应的是易失性存储设备（Volatile Memory Device，即数据存储时会因为掉电而丢失，如计算机内存，无论之前的SDRAM、DDR SDRAM，还是现在的DDR2、DDR3都属于此类型）。 之所以称为Flash，是因为Flash的擦除操作是以Block(块)为单位的，以此相对应的是其他很多存储设备，是以bit（位）为最小读取/写入的单位。Flash是一次性地擦除整个块：在发送一个擦除命令后，一次性地将一个block，常见的块的大小是128KB/256KB， 全部擦除为1，也就是里面的内容全部都是0xFF，由于是一下子就擦除了，相对来说，擦除所用时间很短，可以用一闪而过来形容，故称为Flash Memory，也可译为闪存。 2、什么是Nand Flash Flash主要分两种：Nand Flash和Nor Flash； 其中INTEL于1988年开发出NOR Flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。NOR FLASH采用类似于dram之类的地址总线，可直接与CPU相连，CPU可直接通过地址总线对NOR FLASH进行访问。 NAND Flash是东芝公司于1989年开发的一种非易失闪存技术，具有较高的单元密度，可以达到高存储密度，写入和擦除速度较快。NAND FLASH只有IO接口，只能通过IO接口发送命令和地址，对NAND FLASH内部数据进行访问。 关于两种不同类型的FLASH在技术特征方面的区别如下表所示： NOR FLASH NAND FLASH 备注 接口 总线 I/O 这是两者物理结构上最大区别 单个CELL大小 大 小 单个CELL成本 高 低 读耗时 快 慢 单字节编程时间 快 慢 多字节编程时间 慢 快 擦除时间 慢 快 功耗 高 低，但是需额外的RAM 是否可执行代码 是 不行，但一些新芯片可以在第一页之外执行一些小的LOADER 即是否允许XIP（eXecute In Place，芯片内执行） 位反转（Bit twiddling/bit flip） 几乎无限制 1-4次，也称作“部分页 即数据错误，0-1或者1-0 出厂是否允许坏块 不允许 允许 NOR FLASH由于成本相对高，容量相对小，但读写数据时不易出错，所以在应用时，NOR FLASH比较适合应用于存储少量代码； NAND FLASH由于成本相对低，容量可以做得比较大，但数据读写容易出错，因此应用时需要有对应的软件或硬件的数据校验算法，统称为ECC（Error Checking Correction）（后文将详细阐述ECC相关算法）。 所以，常见的应用组合就是，用小容量的NOR FLASH存储启动代码，比如uboot；用大容量的NAND FLASH做整个系统和用户数据的存储，如LINUX的内核镜像和根文件系统，以及余下的空间分成一个数据区。 而一般的嵌入式平台的启动流程就是，系统从装有启动代码的NOR FLASH启动后，初始化对应的硬件，包括SDRAM等，然后将NAND FLASH上的LINUX内核读取到内存中，之后在DDR RAM中执行内核，在LINUX启动最后，从NAND FLASH启动文件系统，接着运行初始化脚本，启动console交互，最后才运行通过console与内核交互，完成整个系统启动过程。 NAND FLASH的物理存储单元的阵列组织结构。 以下就HY27UF082G2B的物理结构为例： 图1：NAND FLASH的物理结构 一个NAND FLASH