6 第二章 2.2 非平衡PN结.pptVIP

* Physics of Semiconductor Devices * 2.1 非平衡PN结 当在PN结两端施加电压时，热平衡就要破坏，就有电流在半导体内流过。一般情况下，空间电荷区的电阻远远高于电中性区。使得后一区域内的电位降在与前者相比时可以忽略不计，外加电压直接加于空间电荷区的两端，传导电流的大小强烈地依赖于外加电压的极性。 一 正向偏置及能带图 外加正向偏压时，在势垒区产生一个外加电场，其方向与原来的自建电场方向相反，从而消弱了势垒区电场的强度。 自建电场 外加电场 势垒高度下降至 正向偏置PN结及其能带图 减小的势垒高度允许多数载流子扩散通过PN结，以至形成了大的电流。称之为正向偏压，给PN结造成了低阻的通路。 由于势垒区电场削弱，势垒区的空间电荷数量将减小，势垒宽度变窄。同时，势垒区两边的电势差降低，因此，非平衡PN结的能带相对于平衡PN结发生了变化。 二 反向偏置及能带图 外加反向电压，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场，空间电荷区的宽度变宽。 自建电场 外加电场 内电场对多子扩散运动的阻碍增强，增高的势垒阻挡载流子扩散，通过PN结的电流非常小，结的阻抗很高，PN结呈现高阻性。 称为加反向电压，简称反偏。 势垒高度上升至 耗尽区的宽度变化为： 耗尽区的宽度变化为： 突变结 线性缓变结 耗尽区的宽度与外加反偏压的关系： 三 少数载流子的注入 N P N区 P区 空穴： 电子： P区 N区 扩散 扩散 在正偏时，电子从N区扩散（或注入）到P区，空穴从P区扩散到N区，这种现象称为PN结的正向注入效应。 1、 结边缘少子浓度 （1）自建电势与平衡载流子浓度关系 热平衡PN结电位差： 脚标0 表示热平衡状态 nn0 、np0 分别表示N侧和P侧热平衡时的电子浓度 pp0 、pn0 分别表示P侧和N侧热平衡时的空穴浓度： 热平衡时载流子浓度与势垒高度的关系 同理： 多数载流子pp0 、 nn0 分别代替Na、Nd （2）电势与载流子浓度关系 正向偏压时： 结电势 nn 、np 分别表示N侧和P侧空间电荷区边缘的电子浓度 小注入时， N侧注入电子的浓度远小于nn0，因此，假设nn = nn0 ，则： 同理： 确定空间电荷区边缘少子浓度 P侧空间电荷区边缘的电子浓度 N侧空间电荷区边缘的空穴浓度 np0 表示P侧热平衡时的电子浓度 pn0 表示N侧热平衡时的空穴浓度 正偏时： 正偏时，外加电场与自建电场相反，空间电荷区被消弱，电子从N区扩散（或说注入）到P区，空穴从P区扩散到N区，导致P侧结边缘电子浓度大于平衡值： np np0，N侧结边缘的空穴浓度大于平衡值： pn pn0，这种现象称为正向注入效应。 电子扩散 空穴扩散 np np0 pn pn0 P区 N区 反偏时： 外加电场与自建电场方向相同，空间电荷区电场加强，结边缘空间电荷区N区边界的空穴浓度低于平衡值： pn pn0， 使得其边界附近的空穴就向空间电荷区扩散，而且一旦进入空间电荷区，就立即被电场扫向P区。同理，P区边界的电子浓度也低于平衡值：np np0，使得其边界附近的电子就向空间电荷区扩散，而且一旦进入空间电荷区，就立即被电场扫向N区。这种现象称为反向少子抽取作用。 pn np 少子空穴扩散 少子电子扩散 四 空间电荷效应和扩散近似 对于N侧，由于注入过量空穴的正电荷存在，建立起一瞬间电场。此电场吸引过量电子以中和注入的空穴，并使电中性得以恢复。可能有很高的过量载流子浓度而无显著的空间电荷区。 1015+1012 电场吸引过量电子以中和注入的空穴 1012+105 注入的空穴 正偏时，注入的少数载流子是决定因素。多子处于被动的地位，只限于中和少子所引起的电场，可以忽略多子的影响。在注入载流子的区域，假设电中性条件完全满足，则少子就是仅存的一种类型载流子。这些载流子由于被中和，不带电，通过扩散运动在电中性区运输。这种处理方法称为扩散近似。 扩散近似 令： 则空穴的连续性方程变为： 同理，P侧电子的电流和连续性方程变为： 0 对于线性缓变结，耗尽层内空间电荷分布可表示为： 式中，a为杂质浓度的斜率 泊松方程改写为： 则可以得到耗尽层的宽度和自建电势为： 作业1、2解答 线性缓变结的电场强度也是在P区和N区的交界面处最大，而边界处为零。与单边突变结不同的是，其正、负电荷区的宽度相等。即：xn = xp =1/2 W 解答：线性缓变结空间电荷区的电场和宽度 为 A.dx 薄层内的空间电荷的总量 杂质浓度梯度，对线性缓变结是一常数 ) ( ) ( Aqa xdx dx x AqN x dQ = = 空间电荷区内电场强度的增量为： 求积分得到电场 （1） 电场 电场强度分布： 边界条件： 缓变结的电场强度为抛物线分布，