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TARGET靶 譯意為靶，一般用在金屬濺鍍(SPUTTERING) 也就是以某種材料，製造成各種形狀，用此靶，當做金屬薄膜濺鍍之來源。 TDDB Time Dependent Dielectric Breakdown介電質層崩潰的時間依存性 利用介電質崩潰時間(Time to Breakdown)TBD 與外加電場(電壓)的線性模型，作加速測試(Accelerated Test)，對產品(介電質)壽命(Life Time)作一估算。 TBD αe –β Eox ………… （1） AF＝e –β（Eext-Eop）……… （2） Life Time＝T-50*AF… （3） TECN Temporary Engineering Change Notice臨時性製程變更通知 臨時工程變更通知 (ECN)為工程師為了廣泛收集資料，或暫時解決製程問題，而做的製程變更，此一臨時性的變更將註明有效期限，以利生產作業。 英又名稱：TEOS Tetraethylor Thosilicate四乙基氧化矽 l﹒化學式：Si (OC2H5)4，於常溫下為液體態。 2﹒用途：於經化學反應後，可生成一層二氧化矽， 在IC裡通常被當作絕緣府使用。 3﹒反應方式：-高溫低壓分解反應 -常溫加入觸媒分解反應 -電漿促進分解反應 Threshold Voltage臨界電壓 當我*們在MOS電晶體之源極（Source）及汲極（Drain）加一個固定偏壓後，再開始調整閘極（Gate）對基質（Substrate）的電壓，當閘極電壓超過某一個值之後，源極和汲極間就會產生電流而導通（Turn on），則我*們就稱此時的閘極電壓稱為臨界電壓（Threshold Voltage）。 *NMOS電晶體的臨界電壓相對於基質為正。 *PMOS電晶體的臨界電壓相對於基質為負。 一般在製程上我*們會影響臨界電壓的因素主要有二： 1. 1.閘極氧化層厚度：Gate Oxide越厚，則Vγ（絕對質）越高。 2. 2.基質滲雜的濃度：Vγ植入Dose越高，則Vγ越高。 Through Put產量 Through Put為單位工時之產出量，例姐某機器每小時生產100片，則稱其Through put = lOO片/小時。如果每天運作21小時，則每天的Through put為2100片/天。 IC工業係許多昂貴且精密的設備投資，故必須充分利用，維持生產的順暢，發揮其最大的效能。故高的Through put為我*們評估機器設備的一項很重要的因素之一。 除了設備上發揮其最大產能外，必須要配合人為的力量，如流程安排、故障排除、等，亦即必須人機一體才能發揮生產的整體效益，達到最高的生產力(Productivity)。 TMP TI Memory Prototype ,TMS-X TI Memory Standard Product記憶體產品樣品(原型)，TI記憶體標準產品 在TI的產品出貨控制 (Product Outgoing Control)中 ， 以Qualification(資格審定)為 其里程碑： (l) Qual以前：均為TMP產品，見附表。 (2) Qual以後：分為TMS-A， TMS-B，TMS-C及Special， 其可*度保證，客戶分怖見附表。 TMP TMS-A TMS-B TMS-C SPECIAL Qualification X V V V V Baseline product X V V X X REL Assurance X V V X X Major Customer X V X X X Minor Customer X V V X X Selected Customer V X X V V TOX氧化層厚度 TOX係THICKNESS OF OXIDE之縮寫，即一般所謂氧化層厚度。 通常於氮化矽蝕刻，複晶及接觸窗蝕刻完，均須作TOX之測量，藉以確認該層次蝕刻完是否有過蝕刻或蝕刻不足之現象。 Trouble Shooting故障排除 在生產過程，因為4M，即設備、材料、人為、方法等，造成之一切問題而阻礙生產。例如，機器Down機、製程異常…等。工程人員解決以上所發生的問題，使這些故障消弭於無形謂之Trouble Shooting，故障排除。 Undercut底切度 1.所謂底切度(Undercut)，乃是蝕刻時的專用術語，簡單的說，Undercut便是原來所定義出來的圖形間偏離度的大小。 3. 3.以下圖說明 如上圖，原來定義之圖形其寬度為dm，但蝕刻後變為df。故其Undercut = df- dm/2。 3.對於等向性蝕(Isotropic Etching),Under