各种电容简介.docVIP

電容器規格介紹: 電容器種類: 依照主要材質特性分為電解質電容, 電解質晶片電容, 塑膠薄膜電容, 陶瓷電容, 及陶瓷晶片電容等大類別. 電解質電容器種類: 依照細部材質, 形狀, 及功能特性可再區分為標準型 (11mm高度), 迷你型 (7mm高度), 超迷你型 (5mm高度), 耐高溫型 (105℃), 低漏電型, 迷你低漏電型 (7mm高度), 雙極性型, 無極性型, 及低內阻型 (Low ESR)等. 電解質晶片電容器種類: 依照細部材質, 形狀, 及功能特性可再區分為標準型晶片, 耐高溫型晶片 (105℃), 無極性型晶片, 及鉭質晶片等. 塑膠薄膜電容器種類: 依照細部材質, 形狀, 及功能特性可再區分為聚乙烯薄膜, 金屬化聚乙烯薄膜, 聚乙脂薄膜, 聚丙烯薄膜, 直流用金屬化聚丙烯薄膜, 及交流用金屬化聚丙烯薄膜等. 陶瓷電容器種類: 依照細部材質, 形狀, 及功能特性可再區分為Class-1 (T.C. Type)溫度補償型, Class-2 (Hi-K Type)高誘電型, Class-3 (S.C. Type)半導體型 等. 陶瓷晶片電容種類: 依照尺寸及額定功率特性可再區分為0402, 0603, 0805, 1206等較具普遍性. 電容器主要電氣規格: 電容量Capacitance: 一般電解電容器的電容量範圍為0.47uF-10000uF, 測試頻率為120Hz. 塑膠薄膜電容器的電容量範圍為0.001uF-0.47uF, 測試頻率為1KHz. 陶瓷電容器T/C type的電容量範圍為1 pF-680pF, 測試頻率為1MHz. Hi-K type的電容量範圍為100pF-0.047uF, 測試頻率為1KHz. S/C type的電容量範圍為0.01uF-0.33uF. 電容值誤差Tolerance: 一般電解電容器的電容值誤差範圍為M 即 +/-20%, 塑膠薄膜電容器為J即 +/-5%或K即 +/-10%, 或M即 +/-20%三種, 陶瓷電容器T/C type為C即 +/-0.25pF (10pF以下時), 或D即 +/-0.5pF (10pF以下時), 或J或K四種. Hi-K type 及S/C type為K或M或Z即 +80/-20%三種. 損失角即D值: 一般電解電容器因為內阻較大故D值較高, 其規格視電容值高低決定, 為0.1-0.24以下. 塑膠薄膜電容器則D值較低, 視其材質決定為0.001-0.01以下. 陶瓷電容器視其材質決定, Hi-K type 及S/C type為0.025以下. T/C type其規格以Q值表示需高於400-1000. (Q值相當於D值的倒數) 溫度係數Temperature Coefficient: 即為電容量受溫度變化改變之比例值, 一般僅適用於陶瓷電容器. T/C type其常用代號為CH或NPO 即為 +/-60ppm, UJ即為 -750+/-120ppm, SL即為 +350+/-1000ppm. Hi-K type (Z)及S/C type (Y), 其常用代號為B (5P)即為 +/-10%, E (5U)即為 +20/-55%, F (5V)即為 +30/-80%. 漏電流量Leakage current: 此為電解電容器之特定規格, 一般以電容器本身額定電壓加壓3 Min後, 串接電流表測試, 其漏電流量需在0.01CV ( uF電容量值與額定電壓相乘積) 或3uA以下 (取其較大數值). 特定低漏電流量使用 (Low leakage type) 則其漏電流量需在0.002CV或0.4uA以下. 衝擊電壓Surge Voltage: 一般以電容器本身額定電壓之1.3倍電壓加壓, 需工作正常無異狀. 使用溫度範圍: 一般電解電容器的使用溫度範圍為 -25℃至+85℃, 特定高溫用或低漏電流量用者為 -40℃至+105℃. 塑膠薄膜電容器為 -40℃至+85℃. 陶瓷電容器T/C type為-40℃至+85℃, Hi-K type 及S/C type為 -25℃至+85℃. 如何選用規格適當之電容器 所有被動元件中, 電容器屬於種類及規格特性最複雜的元件. 尤其為了配合不同電路及工作環境的需求差異, 即使是相同的電容量值與額定電壓值, 亦有其他不同種類及材質特性的選擇. 以電解電容器為例, 由於其電容量值較大, 雖然能和塑膠薄膜電容器或陶瓷電容器互相區隔.實際使用上仍有下述各種特性差異: 使用溫度範圍: 需選定一般型 -25℃至+85℃或耐高溫型 -40℃至+105℃ 使用高度限制: 傳統A/I標準型最低高度為11mm, 迷你型為7mm, 超迷你型為5mm(相當於晶片電解電容器之高度). 電