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半导体器件的基础知识 姓 名： 得 分 ： 一、填空题 半导体是一种导电能力介于___ ____与 之间物质。 半导体按导电类分可分为_______型半导体与_______型半导体。 N型半导体主要靠____ ___来导电，P型半导体主要靠_ _____来导电。 PN结具有____ ___性能，即加正向电压时，PN结_______；加反向电压时，PN结_______。 晶体二极管的伏安特性可简单的理解为___ ____导通，_________截止的特性；导通后，硅管的管压降约为________，锗管约为________。 晶体三极管的三个电极分别称为_____极、______极和_______极，它们分别用字母___、___和___来表示。 由晶体三极管的输出特性可知，它有______、_____________三个区域。 为了晶体管在放大器中正常工作，发射结须加_ __电压，集电结须加___电压。 晶体三极管发射极电流IE，基极电流IB和集电极电流IC之间的关系是_____。 三极管的Vce一定时，基极与发射极间的电压Vbe与基极Ib之间的关系曲线称为_____ _；当基极电流Ib一定时，集电极与发射极间的电压Vce与集电极电流Ic关系曲线称为______ _ 。 本征半导体掺入五价元素后成为_______半导体。 二极管的正向电流是由______载流子的______运动形成的；反向电流是由_____载流子的_____运动形成的。 PN结中的内电场方向是由_____区指向_____区。 在认别锗、硅晶体二极管时，当测出正向电压为_____时，就认为此晶体二极管为锗二极管；当测出正电压为______时，就认为此二极管为硅二极管。 NPN型晶体三极管的发射区是_______型半导体，集电区是________型半导体，基区是_______型半导体。 按用途可把晶体二极管分为______、______、____________材料做成的；3DG系列晶体三极管是________材料做成的。 三极管具有电流放大作用的实质是：利用______电流实现对___电流的控制。 晶体二极管的直流电阻（即静态电阻）定义为__ _____，如果工作点改变，直流电阻_________。 晶体二极管的交流电阻（即动态电阻）定义为______ _，如果工作点改变，交流电阻___________。 晶体三极管的空透电流Iceo定义为______ _，它是产生的，随温度的增高而__ ___。 晶体管工作受温度影响是由于温度升高_____ ___增加所致。 硅稳压二极管是工作在___ ____状态下的硅二极管，在实际工作中，为保护稳压管，需要在外电路____________。 光电二极管又称________二极管，是PN结工作在_________状态的二极管，它的反向电流会随着光照强度的增加而________。 发光二极管的PN结工作在______________偏置状态时会发光。 温度升高时，三极管共射输入特性曲线将________；输出特性曲线将_________；而且输出特性的间距将___________。 二、选择题 当PN结两端加正向电压时，那么参与导电的是（ ） A、多数载流子 B、少数载流子 C、既有多数载流子又有少数载流子 如果晶体二极管的正反向电阻都很大，则该晶体管（ ） A、正常 B、已被击空 C、内部断部 当晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管处于（ ） A、截止状态 B、放大状态 C、饱和状态 晶体三体管处于饱和状态时，它的集电极电流将（ ） A、随着基极电流的增加而增加 B、随着基极电流的增加而减少 C、与基极电流变化无关，只决定于Ec和Rc 工作在放大区的某三极管，Ib从20uA增大到40uA，Ic从1mA变为2mA，则它的电流放大倍数为（ ） A、10 B、50 C、100 D、20 6、晶体二极管的阳极电位是-20伏，阴极电位是-10伏，则该晶体二极管处于（ ） A、反偏 B、正偏 C、不能确定 7、环境温度升高时，晶体二极管的反偏电流将（ ） A、增大 B、减少 C、不变 8、用直流电压表测得某放大电路中三极管（NPN型）三电极1、2、3的对地电位分别为V1=2v，V2=6v，V3=2.7v。则（ ） A 、1为e，2为b，3为c B、1为e，2为c，3为b C、1为b，2为e，3为c 9、直流电压表测得NPN晶体三极管电路，三极管各极对地电位是：Vb=4.7v,Vc=4.3v,Ve=4v,则该三极管的工作状态是