2.4晶体管伏安特性曲线.docVIP

晶体管伏安特性曲线 各极电压与电流之间的关系-------外部特性 各极电压：VBE、VCB、VCE，由于VBE + VCB = VCE，所以两个是独立的。 各极电流：IE、IB、IC。由于IB + IC = IE，所以两个是独立的。 共E输入特性曲线 共E： 输入：IB、VBE。 输出：IC、VCE。 共E输入特性曲线：当VCE维持不同的定值，输入电流IB随输入电压VBE变化的特性 VBE是自变量 IB是因变量 VCE是参变量 测试原理图： 是一族曲线，每根都类似二极管的伏安特性曲线。 特点： 当VCE = 0时，两PN结并联，IB较大 当VCE从0→0.3V时，曲线右移。 当VCE0.3V后，曲线基本重合（VCE的影响很小）， 不完全重合的原因：基区宽度调制效应。 当VCE↑，集电结空间电荷区宽度↑，基区宽度↓，复合几率↓，IB↓。 实际影响很小，所以一般只画一根。 存在发射结正向导通电压VBE(on) ,类似二极管正向导通电压VD(on) 。 即发射结正向导通时，不管IB多大，VBE = VBE(on) 基本不变（分析外电路时）。 例：如右上图求IB。 等效电路如右下图 反向特性 VBE 0 (NPN) 发射结反偏，集电结反偏 反向电流 IB=－（IEBO + ICBO） 很小 IEBO：发射结反向饱和电流 击穿特性 当反向电压大到V（BR）BEO时，反向电流↑↑ 二、共E输出特性曲线（P59） 当IB维持不同的定值，输出电流IC随输出电压VCE变化的特性 分四个区：放大区、饱和区、截止区、击穿区 放大区：发射结正偏，集电结反偏 特点： 满足， IB对IC有正向控制作用 当IB是等间隔时，曲线是平行等距的。 定义： ，共E交流电流传输系数（放大倍数） 则β为常数，和IC基本无关。一般，以后就不区分和。 例上图中在，附近， ， 为放大区的下边界，这时，，即在以上区域为放大区。实际上为方便起见， 一般以为放大区的下边界。 曲线与横轴基本平行，即当变时，基本不变。 不完全平行（↑时↑）的原因：基区宽度调制效应。当VCE↑，集电结空间电荷区宽度↑，基区宽度↓，基区中非平衡少子的分布梯度↑，↑ 各特性曲线的负向延长线交轴上同一点A，相应的电压：厄尔利电压 如定义，曲线越水平，越大 则,为静态时的 在大范围内，当很大或很小时，曲线较密， 饱和区 发射结正偏，集电结正偏 ，即 特点： （1）不满足直流电流传输关系，， IB对IC无正向控制作用，IB变化时IC基本不变。 （2）IC随VCE的变化大。 （3）饱和时的VCE称饱和压降VCE（sat）。 VCE（sat）≈0.3V，很小，类似开关闭合 （4）从放大到饱和的过程 如三极管开始是工作在放大区，应如何调节W会让三极管进入饱和区？ 要让三极管从放大区进入饱和区，必须，由于，，，，， 截止区 发射结反偏，集电结反偏。 （严格上）以下区域 特点： 不满足直流电流传输关系 ，类似开关断开 击穿区 当时， 特点： 主要是雪崩击穿 不满足直流电流传输关系 较小时，击穿电压较大。 穿通击穿 ，基区宽度↓，集电结和发射结重叠，集电结电场作用到发射结，使和↑↑。 晶体管极限参数 集电极最大允许工作电流 当时，。要求最大工作电流，否则性能变坏，引起失真。 反向击穿电压，实际的最大工作电压应小于击穿电压。 （1）时，击穿电压为 （2）时，击穿电压为 （3）B、E间接有电阻R时，击穿电压为 （4）B、E间短路时，击穿电压为 一般，所以是选管的依据。 集电极最大耗散功率 集电极实际的耗散功率应小于允许的最大耗散功率。 与散热条件有关，散热越好，就越大。 安全工作区 ，，以及横轴、纵轴围起的区域