15.1 晶体管.pptVIP

15.1 半导体三极管 一、三极管结构、符号 二、电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 三、特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 四、主要参数 1. 电流放大系数 ，? 15.2 基本放大电路的组成 三、放大电路工作原理： 第15章 基本放大电路 15.2 基本放大电路的组成 15.3 放大电路的静态分析 15.5 静态工作点的稳定 15.7 多级放大电路 15.6 射极输出器 15.4 放大电路的动态分析 15.8 差动放大电路 15.1 半导体三极管 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 2、符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 由2个PN结组成； 根据结构不同，可分为：NPN型和PNP型 1、结构： 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB VCVBVE VC﹤VB﹤VE 注意：EB 、EC极性不能接反，且EC＞EB 保证： IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 晶体管的电流放大作用：基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性。 B E C N N P EB RB EC RC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB IB IC IE 实质:用一个微小电流的变化去 控制一个较大电流的变化。 3. 三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 使T具有放大作用的条件： 内部条件： 外部条件： 基区要做的很薄，且掺杂质浓度小，使IB很小 发射结正偏，集电结反偏 从基区扩散来的电子由于外部电源的作用而被拉入集电区形成ICE。 3. 三极管内部载流子的运动规律 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE- ICBO ? IBE ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数 集－射极穿透电流, 温度??ICEO? (常用公式) 若IB =0, 则 IC? ICE0 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管： UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管： UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 特点： IC=? IB ，也称为线性区 条件：发射结正偏、集电结反偏 （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 条件：发射结反偏，集电结反偏 在饱和区，?IB ?IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 （3）饱和区 当UCE? UBE时，晶体管处于饱和状态。 当UCE=UBE时，晶体管处于临界饱和。 饱和区 截止区 直流电流放大系数