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电子辐照直拉硅单晶中辐照施主热行为的研究 崔会荚，陈贵锋，赵二敏，李养贤 (河北工业大学信息功能材料研究所，天津300130：．浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州31tⅪ27) 摘要：电子辐照直拉硅单晶后，将在硅片内产生大量的辐照缺陷．本文利用四探针、付立叶红 外吸收爿愀(刚1)和金相显微镜研究了硅中辐照缺陷的热行为，发现样品在氢气氛下经75012 退火后电阻率呈现下降趋势。这是因为硅中的辐照缺陷在此温度下俘获了大量的间隙原子，形成 施盂态的缺陷．氧复合体，这些复合咻在4小时后达到蚀和，长时间退火后单晶硅中的辐照缺陷能 够促进氧沉淀的形成。 关键词： 电子辐照；直拉硅；辐照施主；氧沉淀 1引言 电子辐照直拉硅单晶可以产生位移效应，在硅片内产生大量的原生及二次辐照缺陷以及大量的空位 (V)、(硅自)间隙原子(I)。电子的质量很小，产生的电活性缺陷VO很多，电子辐照在半导体硅中产 生的缺陷会使少子寿命缩短，多子浓度减少，而且缺陷对载流子要产生散射作用，从而使载流子的迁移率 减小，电阻率增加u捌。 电子辐照过的硅单晶在400—900℃下退火唑发现样品在大约600C时，电阻率基本恢复到未辐照样 品的电阻值。通过}IfIIl测量的载流子浓度也基本恢复，这说明这个温度退火辐照缺陷已基本消除，晶格完 整性基本得到恢复。然而750C退火后辐照样品的电阻率又有所下降，而且辐照剂量越大电阻率下降幅度 越大13】，因此被认为该温度下电阻率的下降与辐照相关联，很可能是辐照引入的缺陷在该温度下呈现施主 态而导致电阻率下释∥，随后退火温度升高电阻率恢复至真实值，并保持稳定不变，表明温度升高后施主 态消失。 为了探讨辐照引入的施主态缺陷随退火时间的变化，我们在750C进行了不同时间的热处理，然后通 过四探针、付利叶红外光谱吸收法和金相显微观察法对电子辐照硅单晶辐照施主的热处理行为进行了研究。 2实验 40．．60Q伽，为了消除单晶硅生长过程中产生的热施主，辐照前将样品在氩气氛中进行了700℃，0．5h的热 处理。样品编号及间隙氧含量以及辐照剂量如表l所示，辐照的最大能量为1．5MeV，束流为l一10mA，辐照 温度为90℃。 裹1单晶硅的辐照剂量及间隙氧含量 辐照后样品在750C进行了不同时间的退火，间隙氧含量的测量是在室温下用WQF-410型付立叶红外 光谱测试仪测得，用四探针测量了样品的电阻率，将解理后的样品用Wdght腐蚀液腐蚀后用 OLYMPUS-STM6型金相显微镜进行显微观察。 基金项目；国家自然科学基金资助项目．高等学校博士学科点专项科研基金资助课题(2005∞8∞∞)； 河北省自然科学基金资助项目(巳∞卯0∞钙) ．641 3结果与讨论 不同辐照剂量的样品经750C退火后屯阻率的变化如削1所示。【f】罔可知，未辐照样品的电阻率基本 保持不变，而经电子辐照后样品的电阻率随诅火时间的延长不断下降，4小时后电阻率不再变化，而且辐 照剂量越大，F降的趋势越明显。这说明辐照样品在750C避火后电阻率的下降与辅照在硅片中引入的缺 陷有关。我们认为，这种电阻率的迅速下降是由于辐照缺陷长大后所形成的界_l志呈观施主态所引起的。 这种施主态可以认为是氧施土一缺陷复合{∥l，在750℃下进行热处理，由于辐照引入的较大体积的缺陷会 俘获硅中扩散的间隙原子，同时由于大量游离空位的存在，使得问隙氧的偏聚速度加快，形成氧沉淀的成 棱揍0，从而导致局部S“Si02界面态的出现，界面附近氡沉淀中荷电离子存舟的库仑势和界面附近中杂质 的聚集等都会在禁带中产生浅施主态缺陷，山于辐照缺陷中大量的悬挂键和浅施土能级的存在导致了样晶 载流子浓度的增加．电阻率的下降。 图1不同捌昔辐照样B经750C迥火月样品电目睥的劐t 为丫消除热施主的影响，程们对Ao、A2样品进行了2小时650℃的颈处理，分剐删曲PAO．PA2， 然后再进行750C不侧时问遐火。如图2所帕发现PAO、PA2的电阻率继续呈现F降趋势．而相同条件 下退火的未辐照样品A0、A2的电阻率基本{；}j寺小娈，我们认为该条件下电阻率的F降可能是辐熙缺陷存 低温预处理下促进了辐照施主的产生。 图3为不同辐照样品经不同时间i瞅后问隙氧含量的变化。由图i，咀看出，束辐照的样品经750C不 同温度退火后间隙