纳秒脉冲介质阻挡放电PI薄膜表面改性研究.pdfVIP

高电压新技术 纳秒脉冲介质阻挡放电PI薄膜表面改性研究 中国科学院电工研究所邵涛，章程，严萍 (清华大学电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室周远翔) 摘 要t本文介绍大气压空气下的纳秒脉冲介质阻挡放电对聚酰亚胺材料表面进行了亲水性改善。分别采用均匀 和丝状放电模式对聚酰亚胺薄膜表面改性处理，并对改性前后的薄膜表面进行SEM和AFM表面形态、水接触角和 表面成分进行分析。结果发现介质阻挡放电处理后表面粗糙度明显增加，静态水接触角明显减小，亲水性含氧基 团被引入。脉冲放电等离子体处理导致粗糙度增加和表面极性基团增加，从而改善了薄膜表面亲水性。而且均匀 放电比丝状放电处理效果更为显著。 关键词‘介质阻挡放电纳秒脉冲重复频率表面改性 SPG200N的开启、关停及重复频率调节均通 1 引言 过触发脉冲发生器进行控制。SPG200N产生 低温等离子体由于在材料处理(改性、沉 纳秒脉冲主要依靠磁开关和半导体断路开 积和刻蚀等)、等离子体显示、环保处理等领 关，输出电压根据负载阻抗变化，为了得到 域具有其独特的优越性IlJ，基于介质阻挡放电 相对稳定的输出电压，因此负载端接一循环 (DBD)原理来产生低温等离子体、尤其是大盐水回路，依靠调节负载盐水的浓度改变电 气压下均匀辉光放电的研究受到国内外关注， 阻来变化输出电压，实验时需要DBD回路 而且随着各种不同条件下的放电特性研究不 与盐水电阻回路并联。DBD电极材料是铝， 断深入，DBD特性及其应用的研究结果源源不 整个电极直径70mm，电极边缘半经10mm， 断。目前DBD通常采用50Hz工频电源或高频高介质材料为普通玻璃边长100mm，厚度1— 压电源，随着脉冲电源技术的发展，单极性脉 4mm。施加电压由附着在SPG200N高压输 冲高压也被用到产生DBD，被认为可以较好的 出处的耦合式电容分压器测量。DBD电流由 解决处理时局部过热的问题，简化放电电极结 同轴管式高频电阻分流器测量。DBD图像由 构。目前，高压脉冲DBD已经在臭氧、废气处 SONY(DSC．H9)数码相机拍摄，相机镜头 理、产生IⅣ厂v1Ⅳ，表面改性、等离子体炬、 放置在距离电极边缘15ram处。 医学灭菌等领域12-7】。 整个实验都在大气压空气中进行，在电 极正、负极各覆盖一层厚度为3mm的玻璃 聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)作为一种 特种工程材料，已广泛应用在航空、航天、微 介质层，气隙距离调整为2mm，电源频率采 电子、纳米、液晶、分离膜、激光等领域。它 用250Hz，在这个条件下的DBD特性如图 很高的介电性能，耐电晕性好，耐高温，还具 2(a)所示，平均功率密度为158mW／cm2，从 有良好的机械性能，但在一些诸如柔性电路板 图像上可以看到没有丝状，貌似均匀放电 等实际应用场合，PI还需要进一步提高其表面 (m)BD)。再将覆盖电极正、负极的阻挡介 能，以增加其粘联性。本文利用重复频率纳秒 质换成厚度为2mm的玻璃，调整气隙距离 为6mm，仍然采用250I-Iz的频率，DBD特 脉冲高压电源激发DBDis～，对PI薄膜表面进 行了亲水性改善，并对改性前后的薄膜表面进 性如图2(b)所示，平均功率密度为 行表面形态、水接触角和表面成分的分析。 192mW／cm2，从图像上看到明显的丝状放电 (FDBD)。对于图2(a)对应的电压电流及根 2实验装置及测量 据模型可以计算得到空气间隙上的实际电压 整个DBD实验接线示意如图1所示， 电澍101，如图3所示。可以发现施加电压是 基于半导体断路开关的电感储能电源