窄能隙共轭聚合物：聚{[（3-辛基）噻吩-2，5-二基]-[（对二甲氨基）苯甲烯]}的合成与表征.pdf

维普资讯 第21卷第4期 精 细 化 工 Vo1．21，No．4 2004年4月 FINE CHEM ICALS Apr．2 0 0 4 功能材料 窄能隙共轭聚合物：聚 {[(3一辛基)噻吩一2，5一二基]一 [(对二甲氨基)苯甲烯]}的合成与表征 高 潮，吴洪才 ，易文辉，李宝铭 (西安交通大学 电信学院光电技术与太阳能研究所，陕西 西安 710049) 摘要 ：聚噻吩甲烯是一类具有极低能隙的共轭聚合物，为了提高其溶解性和成膜性，采用3一辛基噻吩与对二 甲氨 基苯甲醛进行聚合反应得到了聚(3一辛基)噻吩对二甲氨基苯 甲烷 (POTDMAB)，然后在氧化剂四氯苯醌的作用 下进行脱氢反应得到聚(3一辛基)噻吩对二 甲氨基苯 甲烯 (POTDMABQ)。用红外光谱、紫外 一可 吸收光谱对 POTDMAB和 POTDMABQ的结构进行了表征 红外光谱上 1653Cff／处 的小吸收峰，紫外 一可 呢吸收光谱上 450～600nm的吸收说明POTDMAB含有部分醌化的成分。与 POTDMAB相比，POTDMABQ的红外谱图在 1653 Cm 处的吸收强度增加 ，紫外 一可见吸收光谱上450～600nm吸收强度的增加以及核磁共振氢谱都说明了醌化 反应的发生和共轭结构的形成 。热重分析表 明 POTDMABQ在 200℃ 以上开始分解 。采用 了两种模型对 POTDMABQ薄膜的光学禁带宽度进行了测量 ，发现具有很低的禁带宽度 ，分别为 1．32eV(r=1)和 1．69eV(r= 2)，具有用作三阶非线性聚合物光学材料的潜在能力。 关键词 ：聚 {[(3一辛基)噻吩一2，5-二基]-[(对二甲氨基)苯 甲烯] ；聚噻吩甲烯 ；窄能隙共轭聚合物 ；禁带宽度 中图分类号 ：0631 文献标识码 ：A 文章编号 ：1003—5214(2004)04—0249—04 SynthesisandCharacterizationofSmallBandgapConjugatedPolymer： Poly{[3-octylthiophen一2，5-diy1]_[p一(N，N—dimethylamino) benzylidenequinomethane]} GAO Chao。W U Hong—cai ，YIWen—hui，LIBao—ming (SchoolofElectronicsandInformationEngineering，XiallJiaotongUniversity,Xiall710049，Shaanxi．China) Abstract：Inordertoimprovethesolubilityofpoly(thiophenemethene)，poly{[3一octylthiophen一2，5一 di)r1]一[p一(N，N—dimethylamino)beny“denequinomethane] (POTDMABQ)issynthesized}】athree— stepreaction．The structuresofpoly {[3一octylthiophen一2，5一diy1]一[P一(N，N—dimetM．’lamino)一 benzylidene]}(POTDMAB)andPOTDMABQarecharacterizedbyIRandUV—Visabsorptionspectra． The smallpeakat1653cm ～ inIR andtheabsoprtionat450～600nm inUV—Visabsoprtionspecturm ofPOTDMAB indicatethatthereiSpartquin