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低温多晶硅TFTLCD的开发动向和发展.pdf
真空电子技术 工艺与应用 !#·第二期
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低温多晶硅!!#$% 的开发动向和发展
中图分类号： + 文献标识码： 文章编号： （ ）
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#$%%与非晶#$%%相比较，其元件性能 概述
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要高 多倍，可以将周边电路集成到玻璃基板上， 低温 的发展历程
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6
减少驱动像素的外部 数量，并且也使连接端子数 低温 技术的发展历程如图 所示。
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减少到 ／ ，大大地提高了产品的可靠性。除此之 大致分为第 代（开发初期）、第 代、第 代和第
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外，它还具有缩小像素%%尺寸，易实现高清晰化 代。由于第 代只集成了一些位移寄存器、模拟切
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等优点。另外，由于使用了耗电量小的 ，可以 换开关等切换信号的简单电路，响应速度在
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将各种电路集成到玻璃上，进而能够运用于更广阔 +
下就足够了。响应速度的迁移率为 ／ 、设
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的领域。然而，在此之前，人们以 技术为 计基准在 左右就能完全满足需要。从第 代
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基础，利用小型石英基板上的高温多晶硅工艺（工艺 开始集成 （ ）、时间控
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温度为/((0 以上）进行制作，难以实现大画面显 制电路等高度集成电路，并逐渐从G7H;级的小型
示。 移动产品发展到第 代 级的大型显示面板。
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为了能在大型玻璃基板上实现批量生产，对低 由于后来需要集成具备包括处理信号功能在内
温 进行了特殊化处理，并将此项技术的应用范
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