基于I-V-T和C-V-T的GaN上NiAu肖特基接触特性研究.pdfVIP

维普资讯 第 56卷 第 6期 2007年 6月 物 理 学 报 Vo1．56，No．6，June，2007 1000．．3290／2007／56(06)／3483．．05 ACTA PHYSICA SINICA ⑥2007Chin．Phys．Soc． 基于 和C- 的GaN上 Ni／Au 肖特基接触特性研究* 刘 杰 郝 跃’冯 倩 王 )十 张进城 郭亮良 (西安 电子科技大学微 电子学院，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 ，西安 710071) (2006年 8月9日收到；2007年 1月 30日收到修改稿) 基于对制作在 n—GaN上的肖特基二极管的变温 ，_ 测试和0 测试 ，采用表面势垒减薄模型对 肖特基二极管 的电流输运特性进行 了研究．试验结果表 明，肖特基接触 的电流输运机理非常复杂 。在不 同的温度条件和偏压条件 下有着不 同的电流输运机理 ．在此基础上对 肖特基接触 ，_ 特性方程进行 了修正，得到了很好 的拟合曲线 ．试验表 明，高温 ，- 法提取的势垒高度与常温 0 法提取的势垒高度接近于根据金属功函数得出的理论势垒高度值 ． 关键词 ：氮化镓 ，肖特基二极管，表面势垒减薄模型，热电子场发射 PACC：7280E，7360L C_ 特性 ，采用 TSB模型对实验现象进行 了解释 1．引 言 2．实验与测试 GaN材料在高温器件和大功率微波器件方面有 着非常好的应用前景 ¨．近些年来 GaN材料 J，GaN 本文中实验所用的n—GaN样品是采用金属有机 基高频大功率 电子器件 和光电器件 研究取得 了 化学气相沉积 (MOCVD)方法在蓝宝石衬底基 片 非常大的进步 ，但是通过 肖特基接触的泄漏 电流过 (0001)面上外延生长的．蓝宝石衬底厚度为 330Fm， 大不但影响器件工作的可靠性 ，而且会造成器件功 材料层结构由下而上依次为 ：300nm未掺杂 GaN外 率增益和噪声水平的严重退化 ．早期对 肖特基接触 延层 ，600nm 的 Si掺杂 GaN层 ，在室温下通过 Hall 的研究都是基于单一的热 电子发射理论来解释电流 测试测得掺杂浓度为 5．81×10”cm～，室温下利用 输运 ，从而得出势垒高度和理想因子 ．事实上 ，由 C_ 法测得 的自由载流子浓度为5×10 cm～．欧姆 于 GaN表面不可能是理想 的表面，其表面状态非常 接触采用 电子束蒸发 Ti／A1／Ni／Au(20nm／120nm／ 复杂 ，造成电子输运 的方式也非常复杂 ．Zhang等人 55nm／45nm)，然后在 830~CN，氛围中快速热退火 ， 认为近界面处 的电子陷阱能级辅助发射是室温下漏 栅金属采用 Ni／Au(20nm／200nm)．肖特基二极管测 电的主要机理 J，Sawada等人利用表面缺 陷模型 试结构 内外环直径分别为 125Fm和 200Fm，使用 (surfacepatchmode1)来解释漏电流过大的原因 ，他 HP4156B精密半导体参数测试仪测试了器件直流特 们认为在表面缺陷处 肖特基势垒高度下降0．4eV， 性 ，C． 测试采用 Keithley590C_V分析仪进行，测 从而引起漏电流的显著增大 ．而较 多的研究者则采 试频率为 100kHz，采用 Westbond．K1200D热板对器 用表面势垒减薄模型(thinsurfacebarriermodel，TSB) 件进行加温． 来解释电流输运 ，他们认为总体来看 电流输运机理 包括热电子发射