GaN-GaN HEMT的微波功率器件研究.pdfVIP

圈圃专掐器…。。 工程技术 HEMT GaN／GaN的微波功率器件研究 邹翔 (电子科技大学 四川成都810081) 摘要；奉文章秉统的阐述了GaN／GaNHEMT的材料研完进辰，比较目内外的t新科研成果，以董宝石为村鹿的器件的研翻为倒进行分 析，得出测量结果及器件特殊性您。 HEMT连辰 器件 关键词：GaN／GaN 研翻 特性分析 中图分类号：TN6I 文献标识码lA 文章编号：1672--3791(2010)04(c)一0060--01 第三代宽禁带半导体材料GaN及其2器件的研制 与此同时，栅极的漏电流受到肖特基 相关的化合物，不仅有较宽的带隙，还有 GaN HEMT器件的制取方法主要是通势垒的高度的影响，较大的高度会减少漏 载流电子饱和速率高、热导率大、热稳定 过MOCVD方法，在抛光的蓝宝石衬底生长电流的大小，增大了击穿电压。器件的小栅 性好等性能。这在高温工作、大功率微波 ALGaN／GaN的异质外延生长结构。具体的极漏电流能有效的改善器件的噪声特性， 潜力、相控阵雷达等多种没备中有着广 生长过程有以下几方面，首先必须进行材 功率特性受到击穿电压的影响和作用，因 泛应用前景和巨大的经济效益，世界各 料的设计与生长，器件的主要性能一定条 而在设计时多采用功函数较高的金属组成 国都投入大量的人力物力进行研究，促 件下取决于用来制作器件材料的结构和质 多层的结构器件。 进了该领域的半导体材料研究的新发 量，提高GaNHEMT的电学性能，提高直接 器件在室温的条件下，通过计算可以得 展，逐步研制新的微波器件，给我们日常 种的二维电子气的电子迁移率和表面密 出栅极肖特墓接触的势垒高度约为0．4eV， 生活带来新的变化和启到作用。本文章 度。然后在520X3下形成有30nmdeGaN成核 虽然有所改善．但与国际中的相比，还有很 着重阐述了本材料的研究新进展，分析 层，接着形成GaN缓冲层lure，把温度保持大的差距，嗜需改善。． 材料的特殊性能以及相关器件的研制和 在520℃分别形成8mm的未掺杂ALGaN层 发展。 及l6mm厚的Si掺杂ALGaN层。通过测量得 到si掺杂浓度在一定的范围内，ALGaN层 4结语 1材料及器件研究进展 的Al组分27％。室温和77K温度下的该材通过以上的分析，用以蓝宝石为衬底 本材料化学性质较稳定，能够耐高 料的电子迁移率u分别是945cm2／(Vs)及来研制出的A1GaN／GaNHEMT的器件，在 温。材料的制造和加工过程困难，严重制 2576cm2／(Vs)，在室温和是77K的温度条件室温的条件下，具有良好的肖特基伏安特 约了本材科的研究及相关器件的研制。我 下。2DEG的表面面密度达到一定值。制备性及输出特性，但是仍存在着许多的不足， 国取得新进展，信息产业部第十三所实 的工艺主要是漏源金属采用Ti／Al(300A／比如较大的欧姆接触电阻、栅极肖特基接 验室和北京工业大学固态电子学合作研 1000A)，栅金属采用Au(2000A)，栅制作完成触高度等方面都需要改善，进而推动我国 究的GaNHEMT微波器件，让人们眼前后立即使用PECVD淀积SiN对器件进行了半导体领域的快速发展。 一亮，看到本材料的应用前景。本微波器 钝化，这样做是为了保护器件的栅与此同 55A 件通过了中科院微电子中心的l{P4l 时惊醒抑制器件的电流塌崩，综上所述制 参考文献 半导体参数测试仪和HP8510B网络分析成GaNHEMT器件。 【l】杨燕，郝跃，张进城，等。GaN基微波半 仪的在片检测，所获取的器件参数s，进而