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NdFeB永磁薄膜的制备方法及其研究进展.pdf
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誊纛鬻嘉 SHANⅪMETAIIJmGY No.2,2013
文章编号:1672—1152{2013)02--0001-04
NdFeB永磁薄膜的制备方法及其研究进展★
张海杰,张敏刚,刘文峰, 陈峰华,李敏杰
(太原科技大学材料科学与工程学院, 山西太原030024)
摘要:综述了NdFeB永磁薄膜的制备方法和原理;介绍了NdFeB永磁薄膜的研究进展;指出了NdFeB永磁
薄膜存在的问题;并对NdFeB永磁薄膜未来的发展方向及应用前景进行了展望。
关键词:NdFeB永磁薄膜削备进展
中图分类号:TGl39.7 文献标识码:A 收稿日期:2013—03—02
NdFeB永磁材料具有优异的磁学性能,广泛应
用于发电机、汽车、医疗仪器和计算机等高新技术领
域,是支撑现代电子信息产业的重要基础材料之_』¨。
随着电子器件及系统向微、精、薄、智能化方向发展,
对NdFeB永磁薄膜的需求日益剧增2】。然而,由于
NdFeB块体一般较脆,切割的极限仅为100
tun,而
溅射粑
且很难保证切割薄膜的完整性和精度,因此很难用
切割的方法制备NdFeB永磁薄膜3】。随着薄膜技术
的发展,NdFeB永磁薄膜的制备方法也实现了多元 图1磁控溅射原理图
化。目前,NdFeB永磁薄膜的主要制备方法有磁控溅同。直流磁控溅射利用直流辉光放电,其特点是在阳
射法,离子束溅射法,脉冲激光沉积法和分子束外延 极基片和阴极靶材之间加一个直流电压,阳离子在
法等,下面对这几种方法的制备原理做简要介绍。 电场的作用下轰击靶材,溅射速率较快,但一般只能
1 N皿eB永磁薄膜的制备方法 用于金属靶材,因为如果是绝缘体靶材,由于阳离子
1.1磁控溅射法 在靶的表面不断积累,会使溅射速率越来越低,造成
“靶中毒”现象。射频磁控溅射采用的是射频放电,带
磁控溅射法(magnetronsputtering)是NdFeB永
磁薄膜最常用的制备方法之一,其制备原理是在高 电粒子在电极间往复震荡并相互碰撞电离,电极无
真空充入适量氩气,经阴极和阳极所加的高直流电 需与等离子体接触也能维持放电,溅射速率一般较
压(约几百千伏)的作用,在溅射室内产生辉光放电, 慢,薄膜的致密性高5】。
从而使气体发生电离后而形成的氩离子在电场的作 对于NdFeB永磁薄膜而言,直流和射频溅射都
Sn
用下轰击靶材,使靶材表面原子或原子团逸出,逸出 有研究。Chen6】用直流溅射在si基片上沉积了
的原子沉积在基底表面形成与靶材表面成分相同的 NdFeB永磁薄膜,研究了沉积速率对薄膜性能的影
薄膜4】。其原理如图1所示。 响,发现沉积速率单调增加,进而影响薄膜的磁性
磁控溅射法又分为直流磁控溅射法(DC)和射能。当溅射速率小于等于O.5nm/s时,薄膜的矫顽力
频磁控溅射法(RF),其主要区别在于放电方式的不较小。当溅射速率大于等于0.6nm/8时,薄膜的矫顽
力升高,最大达到14.5kOe,这是因为溅射速率较
★基金项目:山西省自然科学基金(20080l1042-2);山
西省研究生优秀创新项目;太原市大学生创新创
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