变频器的内部控制电路_四_IGBT的驱动电路.pdfVIP

产品与技术 系列讲座 PRODUCT TECHNOLOGY 变频器的内部控制电路 （四） IGBT的驱动电路 文/张燕宾 IGBT的主要技术参数 通指令之间所留的死区δt是否足够。其中最关键的 1.主要技术参数 因素，是IGBT管的关断时间t 。在变频器的运行 OFF （1）击穿电压U 过程中，影响关断时间t 的主要因素有以下几点。 CEX OFF 是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能 （1）环境温度 够承受的最大电压，如图1a所示。 环境温度高，关断时间t 将延长，如图2a所示。 OFF （2）漏电流I （2）集电极电流 CEO IGBT在截止状态下的集电极电流，如图1a所示。 集电极电流越大，关断时间t 也越长，如图2b OFF （3）集电极额定电流I 所示。 CM 是IGBT在饱和导通状态下，允许持续通过的 U U GE GE 最大电流，如图1b所示。 O O V1 I＞I t 40℃ t C CM （4）集电极－发射极饱和电压U I I CES C C 是IGBT在饱和导通状态下，集电极与发射极 V4 之间的电压降，如图1b所示。 t t （5）栅极驱动电压U （a）环境温度的影响 （b）输出电流的影响 GE 是栅极与发射极之间施加的电压。在变频器 图2 逆变管直通的原因 中，当IGBT饱和导通时，U ＝12～20 V；而当IGBT 这两个因素是同时作用于IGBT管的。所以，当 GE