用于VLSI的新型介质膜界面陷阱的特征.pdfVIP

维普资讯 华 南 理 工 大 学 学 报 (自然 科 学 版 ) 第 23眷 第 l2期 JournalofSouthChinaUniversityofTechnology V0】．23 N0，1P 1995年 12月 (NaturalScience) Deceutber l995 ； 蕊 ‘… … ～ ， 用于VLSI的新型介质膜 一 ／ 界面陷阱的特征 1 陈蒲生 冯文修 黄世平 张荣耀 · 一 一 一 暮； _T大学应用物理系) 摘 赛 采用雪崩热电子注^技术和高频C—V及准静态C-V特性测试 ，研究了新型快速热氯 化的SiO 介质膜界面陷阱的特征，侧重于研究界面陷阱的特性与分布。结果表明：这种 S[ON 薄膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时间的分布变化呈现 回转效应”，且存在着不同类型、密度悬 殊很大的电子陷阱 指出雪崩热电子注入过程中在Si／SinN 界面上产生两种性质不坷的快界面 态陷肼 {给出这两种界面态陷阱密度在禁带中能量的分布I还给出禁带中央界面态陷阱密度随雪 崩注入剂量呈现弱 N 形分布变化。 ~Ui-*q：尘鏖基；墨鱼堕 ；特性 分布；热电子注入 儿SI 中圉资料分类号： 048442，TN304．055，04845 具有高的击穿场强和强的抗辐射能力的新型快速热氮化 SiON 薄膜 (RTNF)被认 为是 用于VLSI的优 良介质膜材料 “。该介质膜氮化工艺及其动力学问题 已作较广泛研究 ．然 而，该薄膜界面陷阱的特性与分布未见有报导；由于这些问题严重影响器件与集成 电路的性能 和可靠性t4,s]．所以这方面同题的研究成为国内外学术界关注的课题 。本文介绍采用雪崩热 电 子 等技术来研究这类问题。 1 实验 11 样 品制备 样品是采用Wacker公司抛光硅晶片[P型(100)晶向、电阻率为 0．26～O．670,,·cm]制成 的MIS电容。硅晶片经过标准化学清洗，在栅氧化前用遭宜的HF溶液浸泡。栅氧化在高纯干 氧中进行 (970C．50rain)，后在另一高温中通高纯氮气快速热氯化 ．氟化温度为 1150C，氮化 时间分别为 30s，60s．120s，180s。氯化后部分的片子放在氧化炉中干氧快速 再 氧化 ，温度 为 1150C，时间分别为30s，60s，120s。接着制作栅电极，制成的MIS样品在400C高纯N 气中退 火 30min。 来稿 日期 ：1995--01--10 *国家 自然科学基金和 TheCroucherFoundationofHongKong资助项耳 *Dept．ofE[eetronieEng．．ChineseUnv【．0fHongKong 陈蒲生．男，1939年生，剐教授 ；主要研究方向；半导庠表面与新型薄膜、薄膜敏感器件。华南理工大学应 用物理系，邮编：510641 维普资讯 华 南 理 工 大 学 学 报 第 23卷 1．2 雪崩注入与测试分析 用 自行装配的雪崩热电子注入装置 (由Nicollian等 雪崩注入电路和 “垫高电压”19]两 部分组成．能获得单纯 电子注入)，对RTNF组成的MIS样品进行程度可调注入。通过高频f—V 和准静态C-V特性测试．联合俄歇 电子能谱与Ar 溅射技术分析氮的深度分布，借助椭圆光 谱偏振仪测量膜厚，应用微机处理数据与绘制图线。 2 结果与讨论 图1给出了禁带中央界面陷阱密度D 随氯化时间呈现 “回转效应”的分布变化。根据我 组研究 提出物理解析：热氮化初期，随着氮化时间增长，界面处氮的掺入量及其替位作用增 多，界面处诱生出缺陷 (