用于功率HFET操作的安全负载线的选择与击穿和退化问题.pdfVIP

维普资讯 电子产品可靠性与环境试验 2002钲 评价了高频晶体管的NPN器件可靠性。文章还研 222 光纤布拉格格栅传感器在高温下的可靠 究了在高收集极 一基极电压和高发射极电流应用中 性 (ReliabilityofOpticalFiberBraggGratingSensors 使用 SiGe的可靠性 。最后文章概述 了 SiGeBiC． atElevatedTemperature)—— 2000InternationalRe MOS技术元件 的ESD特性 。 1iabilityPhysicsSymposium PP．264—269． 文章通过一个长期 的试验计划确定 了光纤和布 219 MESFET与 HEMT的新击 穿机理 的脉 冲 拉格格栅在 250c=【以内的高温下的机械和光学可 测量和 电路模型 (PulsedMeasurementsandCircuit 靠性模型和参数 ，研究了两个市售布拉格格栅类型 Modeling ofa New Breakdown Mechanism of MES． 的应力腐蚀和格栅退化 。 FETsandHEMTs)— — 2000InternationalReliability PhysicsSymposium PP．243—249． 223 用 HBM和 TLP试验评价智能功率保护结 用传输线脉冲方法以非破坏方式测量了非常高 构 的 ESD健 壮性 (ESDRobustnessofSmartPower 栅 电流密度 (30mA／mm)下 HEMT的 “开 ”状态 ProtectionStructuresEvaluatedbyMeansofHBM and 击穿 。在实验观察 的基础上 ，我们 开发 了一 个 TLP Tests) — — 2000 International Reliability HEMT “开”状态击穿的新模型，适用于 SPICE模 PhysicsSymposium PP．270—275． 拟 ，能够预计击穿曲线 。我们的研究结果表 明，寄 文章提供了有关输入 一输出电路的智能功率保 生双极行为可使 HEMT产生一种新的击穿形式 ， 护 结 构 (用 双极 、CMOS、DMOS、BCD技 术 制 对此用 SPICE等效 电路可准确建立模型。该模型 造 )ESD健壮性 的数据 ，比较 了以 “P体 ”和 “P 不仅预计 了 IG，还可一致地描述击 穿水平 以内的 阱”为基的结构的健壮性 ，研究了布局参数对 ESD ID 、 健壮性的影响 ，并提供 了不同试验方法 (HBM和 TLP)获得 的 ESD健壮性之 间的关 系 。通过 SEM 220 InGaP．GaAsHBT偏压和温度应力可靠性 器件剖切还进行了失效分析 。 (Bias and Temperature Stress Reliability ofIn— GaP．GaAsHBTs) —— 2000 InternationalReliability 224 在 ESD脉冲期 间发生 的氧化击 穿机理分 PhysicsSymposium PP．250—257． 析 (AnalysisofOxideBreakdownMechanism Occu~ 文章研究了有不 同基极金属接触 系统 (Au／ ringDuringESD Pulses)— — 2000InternationalRe— Zn／Au、Ti／Au、Ti／Pt／Au 和 新 型 的 Ti／ZrB2／