稀土钨的热电子发射性质.pdfVIP

维普资讯 稀土钨的热 电子发射性质 H H ． ． rypaabnMH等 本文介绍的是掺有1．2％(质蹙)L8O。、 1400~1700K范围 内保持此值 (曲线2)。对 YzO。5~HDyO。的钨口极热电予发射性质的试 阴极在其热处理过程 中进行 的深入研究可 以 验研究结果。采用粉末晤 方法按通用工艺 得 出结论 ，在240oK下 ，一部分La2O。被还 制取阴极[1’。试样的热处理和热 电子发射的 原并沿钨的晶界及其孔隙向表面扩散。在此 研究在无油抽空系统 的超高真空装置 中进 温度下 ，La不可能 保 留在表面上 而 是进行 行，它可以使测试空间的真空 保证达到 l× 蒸发。温度降至 13o0~140oK导致蒸发大量 l0 帕。装卸式真空室可对试样进行快速更 减少，因此，锉在表面富集 。La原 子 在表 换 。试样为厚0．9ram、直径 10ram 的切片 。 面形成单原子层 ，其 电负性比钨更小。因此。 阴极温度由BP一5／20热 电偶测试 或采用 光 链原子的外层 电子转入金属钨的能级，并形 学高温计 目测 。研究阴极材料热 电子发射性 成正离子层，使发射易于进行，因而 降低 了 质的仪器为具有平面 电极系统的二极管。根 逸出功 ，产生激活过程。 据饱和 电流法训定 电子逸出功ecp。 试样在l7O0K温度下保温会引起 日的进 测定升 降温度 时热 电子流的温度关系的 一 步降低。从图l，可见，在l0～l5分钟内． 目的是研究阴极 的行为 ：滞后现象、激活和 发射 电流增加一个数量级 (曲线2)，这相当 去激潘温医。为此，在控制真空的情况下 ， 于0 由3．6减少到3．3ev (曲线1)．看来，这 将试样的温度逐步升高至整流管 中出现饱和 与在1700K下锉的扩散速度能保证对表面的 发 j电流。为了不致 于放过 可能 的激活温 最佳覆盖，并相应地保证 电子逸出功最低有 度，存较高的温 区内进行慢速升温。 关 。阴极温度增加到约230oK促 使印，逐渐 采用按 P~ apgcou方程 在 A口=l20．4 增加至4．5～4．6ev，这相当于纯多晶钨的逸 A／cm -℃ 时计算和绘出的列线图解，根据 出功。在 2000K 时，镗的蒸发速度看来 发射 电流和温度的测定值确定该温度下的满 超过了其 由体内向表 面 的 扩散 速度 ，结果 电流逸出功 。 。增加 。W+La2 阴极激活后在 1700K温 图 1示 出氧化铿钨台金的 电子逸出功 的 度 下最为有效 (e =3．3ev)。 温度关系。试样在l900K下在真空中预热后 ， 研究钨和氧化钇的合金阴极时确定，在 测量 了几组温度 由l900降至 1400K，然后 又 真空 中和T=l700K前预热后 ，在1540N 1700 升高至原来温度 时的热 电子发射 电流 。试验 K温医内的逸出功数值稳定 ，为4．5ev。进一 确定，在1400N1900温区，口～4．2ev(曲线 步升温则出现婶 的温度关系 (圈2，a)，1730 1)，而且在升温和 降温情况下 ，相应温度的 K 温度为 阴极澈活过程的开始。随着澈活过 发射 电流值吻合 (没有滞后现象) 。在该温 程