高压pLEDMOS器件在不同应力条件下导通电阻的衰退及改进方法.pdfVIP

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2017-08-22 发布于湖北
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高压pLEDMOS器件在不同应力条件下导通电阻的衰退及改进方法.pdf

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高压pLEDMOS器件在不同应力条件下导通电阻的衰退及改进方法.pdf

维普资讯第 29卷第 2期半导体学报 Vo1．29 No．2 2008年 2月 JOU RNAL OF SEM IC0NDUCTORS Feb．，2008 On-ResistanceDegradationsUnderDifferentStressConditionsinHigh * VoltagepLEDM OSTransistorsand an ImprovedM ethod SunWeifeng，WuH0ng，ShiL0ngxing，YiYangb0，andLiHais0ng (NationalASICS~tem EngineeringResearchCenter，SoutheastUniversity，Nan1ing 210096，China) Abstract：Theon—resistancedegradationsoftheP—typelateralextendeddrainMOStransistor(pLEDMOS)withthickgate oxideunderdifferenthotcarrierstressconditionsaredifferent，whichhasbeen experimentallyinvestigated．Thisdiffer． enceresultsfrom theinterfacetrapgenerationandthehotelectroninjection，andtrappingintothethickgateoxideand fieldoxideofthepLEDM0Stransistor．An improved methodtoreducetheon—resistancedegradationsisalsopresented， whichusesthefieldoxideasthegateoxideinsteadofthethickgateoxide．TheeffectsareanalyzedwithaMEDICIsimu— lator． Keywords：pLEDMOS；on—resistancedegradation；hotelectroninjectionandtrapping；thickgateoxide EEACC：2560 CLC number：TN386 Documentcode：A ArticleID：0253—4177(2008)02．0214．05 tionsisalso presented，which usesthe field oxide as 1 Introduction thegateoxideinsteadofthethickgateoxideandsim— plifiesthefabricationprocess． Inflatdisplaypanel(FDP)driverICsapplica· tions，the lateral extended drain M 0S transistors 2 Devicestructureandexperiments (LEDMOS)arethedevicesofchoicefortheircom． patibilitywith thestandard C