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基于类渗流导电的超薄栅氧化层软击穿后的电流模拟.pdf
第 27 卷 第 4 期 半 导 体 学 报 Vol . 27 No . 4
2006 年 4 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Ap r . ,2006
基于类渗流导电的超薄栅氧化层
软击穿后的电流模拟
王彦刚 许铭真 谭长华 段小蓉
( 北京大学微电子学研究所 , 北京 10087 1)
( ) ( )
摘要 : 研究了超薄栅氧化层 ≤30n m 软击穿 sof t b r ea k dow n , SB D 后的栅电流和衬底电流特性. 提出了一个基
(
于类渗流导电的 SB D 后栅电流和衬底电流的解析公式 ———类渗流导电公式. 该公式能够在较大的电压范围 - 4
～ + 3V ) 模拟氧化层 SB D 后的栅电流和衬底电流的电流电压特性 , 为超薄栅氧化层可靠性的研究提供了一个较
为简便的公式.
关键词 : 软击穿; 超薄栅氧化层; 类渗流导电
PACC : 7750 ; 7360 H ; 7340Q
中图分类号 : TN 386 文献标识码 : A 文章编号 : 02534 177 (2006)
的 IV 解析模型.
( )
1 引言 另外 ,在器件退化过程中,衬底电流 Ib 也随应
力时间不断增大. 目前 , Ib 已经成为 M OS 器件氧化
( [ 9 ]
随着金属氧化物半导体 m et aloxi dese m i 层可靠性研究的重要参数之一 . 有研究发现 , 薄栅
c o n duct or , M OS) 场效应器件几何尺寸的按比例缩 氧化层 SB D 后的 Ig 与 Ib 存在线性关系[ 10 ] , 二者的
小 ,栅氧化层越来越薄. 根据国际半导体工艺协会的 相关性有助于人们从不同方向探讨氧化层 SB D 后
预测 , 90n m 的 CM OS 工艺中,栅氧化层厚度将减小 的导电机制. 早期的 Ib 模型是基于碰撞
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