硅片清洗工艺与粘污杂质成份的分析.pdfVIP

硅片清洗工艺与粘污杂质成份的分析 王聚安徐瑞平刘涛 (天津环欧半导体材料有限公司) 张维连张恩怀陈洪建孙军生 (河北工业大学材料学院天津300130) 引言 等人提出了用随着大规模集成电路与超大规模集成电路的发展，在一块芯片上要集成几十 万个器件，线条从几十微米发展到仅一微米左右，因而对硅片表面的洁净度要求愈来愈严。 硅研磨片表面的洁净度直接影响到后道工序(抛光、扩散)的生产，因此，器件生产厂家对 研磨片产品表面洁净度要求的不断提高，引起硅片生产厂家对硅研磨片的清洗工艺的不断革 新和改进。国外早就对硅片清洗工艺做了大量研究，目前世界各国在半导体器件生产中普遍 采用的是Kern于1970年发明的RCA标准清洗方法。许多研究人员开始致力于新型清洗工艺 混合溶液在高温、高压下的清洗等等。本文在此介绍一种新型的清洗工艺，它由清洗剂 Q325一B和表面活性剂Q325-D配合清洗。它的清洗效果明显优于手工擦洗法。另外，本文还 重点对清洗工艺完成后部分硅片表面仍粘有的黑点进行了成份测定，以期来指导科学研究和 生产。 实验方法 清洗剂Q325一B是一种硅片专用清洗剂，溶液呈碱性，对切片和磨片产品表面清洗有较 好的效果，特别对在磨片工艺中造成的硅片表面浅划痕有较好的去除性能。Q325一D是一种 表面活性剂，它是一种有机络合物，跟不同的污物都能够发生络合反应，从而能够破坏硅片 表面和污物之间的亲和力达到去污的目的。硅片清洗过程中就是利用它与清洗液Q325一B配 合作用达到清洁硅片表面的目的。 unl 实验清洗对象：N(111)型区熔法(Fz)生长的直径为3英寸的硅研磨片，片厚为600 cm。 左右，电阻率为30一120Q 超声频 试验中所用设备主要有波达单槽式超声清洗机(超声功率：最大1．8KW； 率：40KHz)、甩干机及其它一些辅助器具。 Q325一B：水=l：3：30。所用水为高纯去离子水。 实验步骤：a)常温高压高纯水冲洗1分钟。b)HF酸：水=1：10浸泡5分钟。 C)常温高压高纯水冲洗1分钟。d)450C清洗溶液超声清洗15分钟。 e)常温高压高纯水冲洗1分钟。f)常温高纯水超声清洗5分钟。 g)常温高压高纯水冲洗1分钟并甩干。 实验结果与分析 采用上述工艺清洗的结果如表l。 表1清洗效果统计 次数 投片量 合格 花片 划道 黑点 擦伤 总计 100 68 9 2 16 5 产品一次合格率达到68％，这是手工擦洗法所达不到的(一次合格率大约是25％)。由上表可 以看出这种清洗方法的划道率是2％．可以说它有效的解决了硅片的划道问题。其清洗原理 可能是配制的清洗液呈碱性对硅片有腐蚀作用，但研究结果发现硅片厚度并没有受太大影 响。另外，黑点问题比较突出，占不合格产品的50％。再者，花片中出现同心圆花纹现象。 这可能是由于超声波驻波作用形成的。这种花纹用其它的清洗方法都不能够使其去除．但用 Wright(配比：60mlBF+60 腐蚀5分钟同心圆花纹消失。 描电子显微镜和能谱分析技术对黑点的形貌和成份进行了分析，结果如图1(a、b、)所示。 (a)放大250倍 fbl放大1000倍 图I 黑点的扫描电子显微镜形貌