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【学术论文】(晶硅生长)浅析硅单晶COP缺陷的产生和消除.pdf
第31卷第2期 丘洛布色金属 v01．31No．2
NONFERROUSMETALS 01 0
201 0年6月 SHANGHAI Jun．2
文章编号：1005—2046(2010)02—0078—04
浅析硅单晶COP缺陷的产生和消除
尚海波，丁 玲，叶祖超，谢江华
(上海合晶硅材料有限公司，上海201617)
摘要：在集成电路飞速发展的过程中，特征线宽逐渐缩小，并要求无缺陷的衬底硅片。但
由于单晶生长过程中会产生空洞性缺陷COP，直接影响了CMOS器件的GOI。通过改变热场
温度梯度，可以有效改善单晶的COP，改善后的重掺Sb衬底经外延后，COP被“覆盖”，而
不对外延层造成影响。
关键词：硅单晶；空洞型原生微缺陷；热场温度梯度
文献标识码：A
中图分类号：TN304．1+2
ofCauseandRemovalof
PreliminaryAnalysis
Defectsin Silicon
COP SingleCrystal
SHANG
Hai—bo，DING Zu—chao，XIE
Ling，YE Jiang—hua
siliconMaterial 201617，China)
(ShanghaiHejing Co．，Ltd．，Shanghai
the of linewidthis
Abstract：With circuits，characteristic
rapiddevelopmentintegrated becoming
befreefromdefects．ButCOP affectstheGOIofCMOSdevices．
narrowerandthesubstratemust directly
be the
the ofheatfield，theCOPCall reduced．After
gradient effectively
Throughchangingtemperature
Sb substrateis andtheCOPis willno
epitaxial heavilydoped improved covered，andlonger
growth，the
affectthe
epitaxiallayer．
field
Keywords：singlecrystalsilicon；COP；temperature
是晶体生长期间凝人晶体的点缺陷的聚集体，或
¨ 刖 置
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