高功率GaN基LED器件的研究现状与发展.pdfVIP

海峡两岸第十六届照明科技与营销研讨会 高功率GaN基LED器件的研究现状与发展 孙永健张国义·陈志忠于彤军康香宁 (北京大学物理学院介现物理实验室) l引言 盖从红光(650nm)到黄光(580nm)的范围。 的掺杂问题，成功研制出了GaN基蓝光LED， 范围。LED得到了广泛的应用。 1．1 GaN基LED器件的发展和主要应用 大小lmmxl 超过1701m／W，大有超过现有所有照明产品的光效之势。作为光源，LED与其它发光光源相 比，其具有节能、环保、绿色健康、长寿命等有着非常明显的优势。随着高功率，高亮度LED 的大量被开发出来，其用途也越来越贴近我们的生活。LED的主要用途有六大类： (1)显示：其主要是LED显示屏等； (2)背光源：液晶显示背光源，LED的节能、环保、长寿、低电压等特性都非常适合 液晶背光源的需要； (3)特种照明：包括手电筒，矿工灯，射灯，圣诞彩灯等； (4)城市照明；景观照明：路灯、景观用灯等； (5)汽车用照明：目前以第三煞车灯、车内照明、仪表板灯等为主，但随着亮度、光效 等的提升，包括后车灯、牌照灯、后视镜副灯等，甚至前照灯等都已纷纷开始采用LED； 海峡两岸第十六届照嚼科技与曹悄研讨舍 的最终目标札场，电是规模最大的市场。 巾同照明电器{r业在近年来得到了快速发展。据权威数据统训显示．2000年【14内照明行 递增。另外，中圆照明电器产品mu近年柬持续增K，年均增幅超过20％，2004年会行业m u颧达到665亿美元，远钔世界150多个国家和地【墨。 I‘I到10％的份额， 据保守估计，2010年中l司j!【【明Ilj场规模将超过2200亿元。如果LED 就将是220亿元的『Ii场规模，对人功率LED的需求将达到15．20亿颗。 瓣画兹 件结构、出光面积示意圈 1．2GaN基LED嚣件的研究现状 熟以及LED器什制备工艺的稳定，蓝宝石衬底的LED器fl的光效也在逐渐的提商．埘r传 有的已经较为完善的生长水半下，也很难有更人的提高了，这主要『b于传统的LED器件本身 的局限性所带来的。 1)蓝宅石衬底所带来的结构上的局|：}!悱： 我们都知i吐，现今的GaN挂材料都是矗蓝盅打衬底l。F长的，然而，蓝宝石村底差的导 lb性和’JGaN村车}的品格不匹配问题带给丫现今流行的LED器t1·很多了币可回避的缺陷。 首先，两利·材料高达136％的品格失配率和不同的热胀系数使得生长往蓝采石衬底l：的 错密度和戍力残存会使器件效率F降的两个非常主要的圳紊。f『源层叶1的傅错．会形成怍辐 射堑合巾心，降低器件的内带f效率．并儿穿过_}i}子阱的化错会形成漏电通道，降低器什的 ．i38 海峡两岸第十六届照明科技与营销研讨会 注入效率【9，10】。残存在器件内部的应力会使量子阱的能级发生倾斜，使发光波长红移，甚 至是同一外延片上的不同地点由于不同的应力残存情况而发光波长不同。 其次，蓝宝石衬底的不导电性使得基于蓝宝石衬底的LED器件只能制备成平面结构的 LED器件，即P、N电极在GaN外延片的同一表面上，而不能制成垂直结构的LED。 这样的结构，首先带来的问题就是器件的注入电流不能够得到充分的扩展，因而极大的 降低了器件的注入效率。如图l(c)所示，器件中的电流流动遵循电阻最小的原则，从而形 成了一端的量子阱电流注入密度过高，出现注入载流子的overflow现象以及俄歇符合现象， 另一端的量子阱由于注入载流子密度不够而得不到充分的利用。其次，N面电极的刻蚀减少 了出光面积，器件表面的大面积P电极也阻碍了器件的出光，造成了器件的外量子效率的下 降。 2)蓝宝石衬底的差的导热性导致大功率LED器件结温升高： 蓝宝石差的导热特性使得器件在工作时的产生的热量不能够有效地传递到热沉上去，从 而使得LED器件工作时的结温急剧升高。这种结温的升高在小功率LED器件中体现的并不 是十分明显，然而在大功率LED器件中，在高过