化学方法制备与稀磁半导体与结构和磁性研究.pdf

摘要 摘要 由于自旋相关现象的发现及其许多极具潜力的实用性，自旋电子学的研究在 全世界得到了广泛开展。其中磁性半导体被认为是下一代利用电予的自旋自由度 制造徽电子元件的主要丰季料，有很好的应用前景。 近年来很多研究小组都铡备擞具有室溢铁磁性的稀磁半导体，僵稀磁半导体 的铁磁性起源尚有很大争议。磁性来源的理论也主要分为两大部分：一种是由载 流子诱导的铁磁交换耦合，如RKKY交换作用。另一种认为与样品中的缺陷有 关，具有代表性的是束缚极化子(Bm)模型。 纳米棒阵列的微结构、光学性质、电性和磁性，得到豹主要结果如下： 1．溶胶．凝胶法制各的co．Sn02粉末和薄膜样品 (1)在Co．Sn02粉末和薄膜样品中，均得到了纯的金红石矿结构。并且随着Co 掺杂量增加，样品的晶粒尺度减小，说臻C02+的掺杂抑制了晶粒的生长。 (2)高分辨电镜观察显示：样品的晶格规则旦没有扭曲或变形，其选区电子衍射 (SAED)表明样品为金红石相的Sn02，且没有杂相。X射线光电子谱研究 表明Co元素的价态为2十。由此得出C02+进入了Sn02摄格中。 表明样品的磁性为内禀的。在不同Co掺杂量的样品中，每Co磁矩随掺杂 量的增加而减小。对这种现象的解释是：随着Co掺杂量的增加，Co离子之 闻的距离减小，Co离予之闻通过氧离子发生反铁磁超交换作用，导致了每 Co磁矩的减小。 Si(非晶)衬底上制备成薄膜样品。研 (4)用snl哇Cox02溶胶旋涂在Si(111)幂n 究表明，Si(111)衬底上的样品结晶明显好于Si(非晶)衬底上的，而磁性也 明显强予Si(非晶)衬底上的，说明磁性与结晶好坏密切相关。 (5)由于化学法镀膜样品的电阻很大，磁性起源不能用载流子诱导的交换作用 模型，而需用BMP模型来解释。为了求证BMP模型是否适用于Co．Sn02 的系统，首先将样品在氧化环境下进行退火，磁性消失。随后将样品在真空 摘要 环境下进行退火，磁性又重现。这个结果证明了氧空位对CoxSnl．x02系统的 铁磁性有着重要的影响，证实了BMP模型适用于CoxSnl．x02薄膜系统。 2．溶胶一凝胶法制各稀磁半导体(Inl-x-yTbxSny)203薄膜 方结构。 (2)磁性研究表明：对于不同Tb掺杂量的样品，随n掺杂量的增加，样品的每 Tb磁矩先增加。当掺杂量为1％时，磁矩最大，为8．2“B／Tb。之后样品的磁 矩随着Tb掺杂量的增加而减小。电性研究表明：随着Tb掺杂量的增加， 样品的电导率先增大后减小，这个趋势和磁矩与Tb掺杂量的关系相同，说 明样品的磁矩和它的电导率有关。 (3)对于不同Sn掺杂量的样品，随Sn掺杂量的增加，样品的每n磁矩先增加 后减小。样品的电导率与Sn掺杂量的关系和每Tb磁矩与Sn掺杂量的关系 趋势一致。由于电导率正比于载流子浓度，说明样品的磁矩和载流子的浓 度有关。因此，该系统中磁性的来源可用载流子诱导的交换作用(砌张Y) 来解释。 3．水热法制备稀磁半导体Znl_xCoxO纳米棒阵列 线都垂直于衬底。随着反应时间和Zn2+离子在溶液中浓度的增加，纳米棒的 um。 直径和长度随之增大。纳米棒的直径为50--250nm，长度为100nm3 纳米棒阵列具有室温铁磁性。 的带隙发光，并在613nm处显示出明显的强的红色发光峰。掺杂后，Co．ZnO 纳米棒的红色发光峰的强度减弱，可能由掺杂减小了间隙氧的数量所致。该 峰在文献中少有报道。 Abstract Abstract havebeenstudied allovertheworldbecauseofthe Spintronics extensively in related