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CMOS与TTL电路的区别 1、三极管是电流驱动型；ＭＯＳ是电压驱动型（）； 2、三极管便宜，mos管贵。 3、三极管损耗大。 4、mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。  三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。  MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。  一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管  138译码器 3个控制输入引脚：E3，E2*和E1* 都有效，才能实现译码功能 3个编码输入引脚：C，B和A 8种编码各对应一个译码输出引脚 CBA＝000编码使Y0*低有效，其他高电平无效 CBA＝001编码使Y1*低有效，其他高电平无效 …… CBA＝111编码使Y7*低有效，其它高电平无效 译码器译码 Y0*译码输出有效，必须： E3E2*E1*＝100 A19A18A17＝111 CBA＝000 A16A15A14＝000。 结论：A19～A14＝111000 地址范围：E0000H～E3FFFH 存储容量：16KB 译码方式 全译码方式 使用全部微处理器地址总线 片内寻址：低位地址与存储器芯片地址引脚相连 片选寻址：高位地址经译码与存储器芯片片选引脚相连 部分译码方式 只使用部分微处理器地址总线进行译码 没有使用的地址信号对存储器芯片的工作不产生影响 练习3：分析下图中4个6264芯片各自的地址范围（设8088CPU）。 2764中第26脚为NC，若改为A13，则为27128芯片封装图，27128是一块16K×8bit的EPROM芯片，其操作与2764相同。 注意: 四、电可擦除可编程ROM（EEPROM） E2PROM是一种在线（即不用拔下来）可编程只读存储器，它能像RAM那样随机地进行改写，又能像ROM那样在掉电的情况下所保存的信息不丢失，即E2PROM兼有RAM和ROM的双重功能特点，如图3-18所示。 E2PROM的另一个优点是擦除可以按字节分别进行（不像EPROM擦除时把整个片子的内容全变为“1”）。 图3-18 E2PROM结构示意图 +VG +VD 五、Flash存储器 闪速存储器（Flash Memory）是一种新型的半导体存储器，由于它具有可靠的非易失性、电擦除性以及低成本，对于需要实施代码或数据更新的嵌入式应用是一种理想的存储器，而且它在固有性能和成本方面有较明显的优势。 ※ 闪速存储器可实现大规模电擦除。 ※ 闪速存储器的擦除功能可迅速清除整个器件中所有内容。 ※ 闪速存储器可以被擦除和重新编程几十万次而不会失效。 特点： 固有的非易失性  它不同于静态RAM，不需要备用电池来确保数据存留，也不需要磁盘作为动态RAM的后备存储器。 (2) 经济的高密度 Intel的1M位闪速存储器的成本按每位计要比静态RAM低一半以上。闪速存储器的成本仅比容量相同的动态RAM稍高，但却节省了辅助存储器（磁盘）的额外费用和空间。 特点： (3) 可直接执行  由于省去了从磁盘到RAM的加载步骤，查询或等待时间仅决定于闪速存储器，用户可充分享受程序和文件的高速存取以及系统的迅速启动。 (4) 固态性能  闪速存储器是一种低功耗、高密度且没有移动部分的半导体技术。便携式计算机不再需要消耗电池以维持磁盘驱动器运行，或由于磁盘组件而额外增加体积和重量。用户不必再担心工作条件变坏时磁盘会发生故障。 3.4 存储器与CPU的接口技术 数据总线 控制总线 CPU 地址总线 存 储 器 图3-19 CPU与存储器连接示意图 一、存储器与CPU的连接 (一) 存储器与CPU连接时应注意问题 1. CPU总线的负载能力。 (1) 直流负载能力 一个TTL电平 (2) 电容负载能力 100PF 由于存储器芯片是MOS器件，直流负载很小，它的输入电容为5－10PF。所以 a. 小系统中，CPU与存储器可直连， b. 大系统常加驱动器, 在8086系统中,常用8226、 8227总线收发器实现驱动。 2. CPU的时序和存储器芯片存取速度的配合 选择存储器芯片要尽可能满足CPU取指令和读写存储器的时序要求。一般选高速存储器，避免需要在CPU有关时序中插入TW，降低CPU速度，增加WAIT信号产生电路。 3. 存储器的地址分配和选片问题。 (1) 确定整机存储容量。 (2) 整机存储容量在整个存储空间的位置。 (3) 选用存储器芯片的类型和数量。 (4) 划分RAM、ROM区，地址分配，画出 地址分配图。 一般指存储器的WE、OE、CE等与