应力条件下GaN电子结构及光学性质研究.pdfVIP

激 与光 电子学进展 51，091604(2014) Laser 0ptoe1ectronicsProgress ~2014(中国激光》杂志社 应力条件下GaN电子结构及光学性质研究 阮兴祥 张富春 张威虎 延安大学物理与 电子信息学院，陕西 延安 716000 摘要 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波计算方法 ，系统研究了不同应力作用下GaN的电子结构和光学 性质 ，对 比分析 了外压调制对GaN的能带结构、态密度和光学性质变化 的影响。计算结果表 明：随着外应力的逐渐 增加，Ga—N的键长逐渐变小 ，布局数逐渐增加，共价性明显增强 ，离子性减弱。电子结构计算结果显示导带向高能 方向漂移 ，而整个价带 向低能方 向漂移 ，禁带带宽明显被展宽，Ga原子 的3d态 电子与N原子 的2p态电子的杂化程度 增强 。光学性质计算结果揭示 了在没有应力 的作用下 ，在 l_6eV附近开始 出现吸收边 。随着外应力 的逐渐增大 ， GaN的复介 电函数和吸收谱向高能方向漂移 ，光谱发生了明显的蓝移现象，进而提高了光电转换效率。 关键词 光电子学 ；GaN；第一性原理 ；光学性质 ；应力 中图分类号 O472 文献标识码 A doi：10．3788／LOP51．091604 StudyonElectronicStructureand OpticalPropertiesofGaN under Pressure RuanXingxiang ZhangFuchun ZhangW eihu CollegeofPhysicsandElectronicInformation，YananUniversity，Yanan，Shaanxi716000，China Abstract Electronicstructureand opticalpropertiesaresystematically investigatedbyusingfirst—principles plane—wave calculation method based on density functionaltheory，and the changesintheband structure， density ofstatesand opticalpropertiesare comparatively analysedforGaN underpressure．Thecalculated resultsindicatethatGa— N bondlengthsbecomeshorter，thepopulationsbecomelarger，thecovalentbecomes strongerandtheionicbecomesw eakerwhenthepressureincreases．Thecalculatedelectronicstructureshows thattheconduction bandsmoveto high energydirection，whilethewholevalencebandsshift tolow energy direction，the band gap becomes wider，the hybridization of3d states electron ofGa atoms and 2p states electron ofN atom s is enhanced significantly．Resultsofopticalpropertiesrevealthatabsorption spectrum occursabsorptionedgenear1．6eVwhenthereisnostress．Withthepressureincreasing，thecomplexdielectric function andabsorption spectraofGaN move towardshigh energy，