第十五章 图形曝光与光刻.pptVIP

图形曝光与刻蚀 光学图形曝光－洁净室 光刻机 掩模版 抗蚀剂 图案转移 分辨率增加技术 新一代图形曝光技术 电子束图形曝光 SCALPEL 电子束抗蚀剂 邻近效应 极远紫外光图形曝光（EUV） X射线图形曝光（XRL） 离子束图形曝光 不同图形曝光方法的比较 湿法化学腐蚀（WCE） 硅的腐蚀 二氧化硅的腐蚀 氮化硅与多晶硅的腐蚀 铝腐蚀 砷化镓的腐蚀 干法刻蚀 干法刻蚀 基本等离子体理论 刻蚀机制、等离子体探测与终点的控制 等离子体探测 终点控制 反应等离子体刻蚀技术与设备 反应离子刻蚀（RIE） 电子回旋共振（ECR）等离子体刻蚀机 其他高密度等离子体刻蚀机 集成等离子体工艺 反应等离子体刻蚀的应用 硅沟槽刻蚀 多晶硅与多晶硅化物栅极刻蚀 介质刻蚀 金属导线刻蚀－Al Cu W 1 10 100 1000 1 10 100 1000 低于高密度 ECR，ICP 低压整批RIE 单片晶片RIE 桶状等离 子体刻机 RIE已被广泛用于微电子工业，装置图如下所示。此刻蚀系统比传统的“桶装”刻蚀系统选择比要低，是由于强烈的物理溅射的关系。然而，选择比可以选择适当的化学刻蚀来改善。 平行板系统 RF RF 大多数的等离子体抗蚀机，除了三极RIE外，都无法提供独立控制等离子体参数的能力。导致轰击损伤的严重问题。ECR结合微波电