连续含铝SiC自由膜的制备与发光特性研究.pdfVIP

堡荣迁等：连续含铝SiC自由膜的制备与发光特性研究 连续含铝SiC自由膜的制备与发光特性研究。 姚荣迁1·2一，冯祖德1’2，张冰洁1’2，林宏毅h2，李思维1矗”，余煜玺1’2，张立同4 (1．厦门大学福建省特种先进材料重点实验室，福建厦门361005I 2．厦门大学材料学院，福建厦门361005；3．厦门大学化学化工学院，福建厦门361005I 4．西北工业大学凝固技术国家重点实验室，陕西西安710072) 摘要：通过自制喷膜装置对聚铝碳硅烷(PACS)进究大多集中在如离子注入法、化学气相沉积(CVD)、物 行脱泡处理、熔融纺膜，并对其进行氧化交联、高温预 烧及高温裂解终烧可制得连续含铝SiC自由薄膜。用 扫描电镜(SEM)分析薄膜的形貌，通过红外光谱(FT- IR)分析氧化交联后薄膜的结构变化，通过电子探针 气相沉积技术的不断成熟，CVD方法已经广泛地应 (EPMA)、拉曼光谱(Raman)、X射线衍射(XRD)与场 用于SiC薄膜材料的生长，但CVD法的最大缺陷是均 发射高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对薄膜进行成 涉及较高沉积温度、所得薄膜匹配性差以及氢影响等 分及微观结构分析，采用光致发光谱(PL)对薄膜的光问题[6～03。此外以上方法均借助基材进行沉积SiC薄 学带隙和发光特性进行了研究．结果表明，熔融纺膜 膜，存在晶格失配和热膨胀系数失配等问题，因此形成 法与PACS先驱体法相结合可制得均匀、致密的耐高的薄膜中常存在大量失配应力引起的缺陷。 温连续舍铝SiC自由薄膜，室漫下表现出了320～ 目前许多研究通过掺杂来提高SiC薄膜的发光性 440nm宽谱带发光，其发光峰可分别归因于a·SiC和能和稳定性，掺铝的SiC薄膜具有很好的电学性 C簇，且随着烧结温度的提高，发光强度增大。 关键词： 聚铝碳硅烷；先驱体法；碳化硅自由膜；光致 熔融纺膜，氧化交联和高温裂解相结合，可得到耐高温 发光 的连续含铝SiC自由薄膜，并对薄膜进行测试分析。 中图分类号：TB43；0484．4文献标识码：A 本文的研究结果为提高SiC薄膜发光效率提供一种新 ‘ 文章编号：1001-9731(2008)11-1781-04的途径，并且具有工艺简单、产品的成分和结构可控、 成本低、质量高、性能好、厚度可调节及连续自由等特 1 引 言 点，对实现siC薄膜高效率发光具有重要意义。目前 碳化硅(SIC)作为一种极具发展潜力和广泛应用国外对含铝自由薄膜的研究报道很少，国内更是很少 前景的重要的第三代宽带隙(El=2．3～3．3eV)半导涉及． 体材料，由于其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导 2 实 验 率、小介电常数和较高电子迁移率，以及抗辐射能力 强、结实耐磨损等特性而成为制作高频、大功率、耐高 2．1 连续含铝SiC自由薄膜制备 温和抗辐射极端条件下光电子器件的理想材料[1～3】。 利用SiC薄膜的宽禁带特征，已有研究者用SiC薄膜 自制喷膜装置中，置于脱泡炉内，在340℃保温3h。取 成功制作了蓝光发光二极管(LED)。但是，与硅、锗等出喷膜装置，立即放入小型熔融纺丝机，设置纺膜温度 其它半导体材料类似，由于其间接带隙的特征，导致发 320℃，进行纺PACS薄膜。在喷膜板出膜口处喷上硅 光性较差．因此人们竞相研究能提高SiC发光效率的 油进行润滑，把熔融的连续PACS自由原膜拉制出来， 方法．由于量子尺寸效应和量子限制效应，无定形 缠绕在卷丝筒上，调节好卷丝筒的转速，使得PACS薄 siC、多孔SiC或纳米SiC及其复合材料能够有效提高 膜均匀地缠绕-通