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维普资讯 第 29卷 第 7期 半 导 体 学 报 V01．29 NO．7 2008年 7月 JOURNAL OF SEM ICONDUCTORS July，2008 碲镉汞光伏探测器的变面积表面钝化研究 乔 辉 徐国庆 贾 嘉 李向阳 (中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室，上海 200083) 摘要 ：利用 同一片碲镉汞材料制备 了由单层 ZnS和双层 CdTe／ZnS作钝化膜 的变面积光伏探测器 ，对两种钝化膜结构的 变面积器件进行了对 比研究．通过分析两种器件 的电流一电压(I- )特性曲线 以及零偏 电阻-面积乘积 (RoA)与周长-面积 比 (p／A)的关系 曲线，发现 ZnS钝化的器件具有较大的表面漏 电流 ；通过分析两种器件 的电流噪声与暗 电流 的关系，发现 ZnS钝化的器件的噪声特性较接近散粒噪声，CdTe／ZnS双层钝化的器件则表现出较好的基本 1／f噪声特性，使得器件噪 声要小于单层 ZnS钝化 的器件 ． 关键词：钝化 ；变面积；散粒噪声 ；1／f噪声 ；光伏探测器；碲镉汞 PACC：6820；6855；6110 中图分类号：TN304．2 文献标识码 ：A 文章编号：0253—4177(2008)07—1383—04 通过在 P型碲镉汞材料上进行 B 注入形成 n型区，然 1 引言 后生长钝化膜对表面进行钝化，制备 电极后封装于真空 杜瓦内进行测试 ．钝化膜 的生长使用北仪 DM450C型 碲镉汞 (Hg一CdTe)光伏探测器是一种重要 的碲 热蒸发镀膜机 ；单层 ZnS钝化膜结构为 ZnS／HgCdTe， 镉汞红外器件 ，其 中光伏焦平面器件 (FPA)代表 目前碲 ZnS厚度为 200nm，双层 CdTe／ZnS钝化膜结构为 镉汞器件发展 的方 向．碲镉汞光伏器件 的表面钝化一直 ZnS／CdTe／HgCdTe，ZnS／CdTe 厚 度 为 200nm／ 是器件制备中备受关注的问题，因为表面钝化效果直接 110nm．器件光敏元面积从 90u,m ×90,um 到 270t~m × 影响到器件最终的性能和成品率．针对碲镉汞光伏器件 270t~m，器件测试温度为液氮温度 (77K)，测试内容包括 的表面钝化 ，降低器件表面漏 电流 ，人们 已经提 出了许 器件的电流．电压 (I- )特性 曲线和电流噪声． 多的钝化膜结构．这些结构主要分为碲镉汞表面 自身生 长钝化膜和表面沉积钝化膜两类_1]．碲镉汞表面 自身生 3 结果与讨论 长钝化膜包括阳极电化学钝化膜、等离子体氧化以及光 化学氧化膜 ；表面沉积钝化膜 则尝试过 ZnS，Sio 和 3．1 两种钝化膜结构对器件 I-V 曲线的影响 SiN 等 ．自上世纪 9O年代开始 ，人们开始提 出用 CdTe 作为光伏器件的表面钝化膜，并且取得 了 良好 的效果． pn结作为碲镉汞光伏探测器 的核心，器件 的暗电 目前 CdTe／ZnS双层钝化膜 因具有较好 的钝化效果和 流机制直接决定其特性的好坏．器件的 ，_ 特性曲线可 可靠性而得到了广泛应用 ． 以简单直接地反映器件的暗电流机制．图2和图3给出 为了研究表面和界面对器件 的影响，人们提 出了变 了两种钝化膜结构的变面积器件的 ，_ 特性曲线 ． 面积线列器件结构_2]，即通过同一材料上的相 同工艺过 从图2和图3可 以明显看出两种钝化膜结构器件 程 ，得到不 同结面积的器件 ，再通过对这些器件性能的