各章内容最后小结.pdfVIP

1 半导体二极管 1．本征半导体在本征激发后导电，载流子浓度与温度 T 有关。 2 ．P 型半导体中多子为空穴，少子为电子； N 型半导体中多子为电子，少子为空穴。 掺入杂质后，半导体的导电能力会有显著提高。 3 ．PN 结又称空间电荷区、耗尽层、阻挡层、势垒区，有单向导电性：正向电阻很小，反向 电阻很大。 V V 4 ．二极管的伏安方程是：I I s (e T ?1) ， 其中:I 是二极管的反向饱和电流，与温度有关； s V 是温度的电压当量，室温下为 0.026mV。 T V V 二极管正偏时，I ? I e T ，反偏时，I ? ?I s s 5 ．二极管反向偏置电压达到击穿电压V 时，其 PN 结发生电击穿 （雪崩击穿和齐纳击穿）， BR 此时电流变化很大而电压变化不大——由此做成稳压管。 2 晶体管 1．晶体管 （BJT ）是双极型电流控制器件，晶体管进行电流放大的前提是发射结正偏置、 集电结反偏置。 2 ．晶体管的外部电流关系是I C ? ?I E 、I C ? ?I B 、I E I C ?I B 3 ．晶体管有三个工作区域：放大区、饱和区、截止区，晶体管通过电流控制实现信号放大 的条件是工作在放大区。 4 ．晶体管处于正常放大状态时，发射结正偏置，集电结反偏置，为满足此条件，NPN 型晶 V ?V ? V V ?V ? V 体管的各极电位关系应该是 C B E ；PNP 型晶体管的各极电位关系应该是 C B E 。 v ? V v ? v v ? V v ? v 5 ．当 BE th 且 CE BE 时，晶体管工作于放大区；当 BE th 且 CE BE 时，晶体管工作 v ? V v ? v 于截止区；当 BE th 且 CE BE 时，晶体管工作于饱和区。 6 ．场效应管 （FET ）是单极型电压控制器件，栅源电阻大。场效应管有三个工作区域：可 变电阻区、恒流区、击穿区，场效应管通过电压控制实现信号放大的条件是工作在恒流区。 7 ．放大器的直流栅源电压的偏置应保证场效应管能正常工作，以N 沟道为例，结型场效应 管的vGS ? 0 后有 iD ，vGS 越负，iD 越小；增强型绝缘栅场效应管的v ? V （V 为正）后有 GS T T iD ，v 越正，iD 越大；耗尽型绝缘栅场效应管的 VGS 可正可负，v 越大，iD 越大， v V GS GS GS P （V 为负）时 iD 0 。 P 各种场效应管的转移特性所在象限如下图所示 3 模拟电子系统的基本问题 1.电子系统中，任意一个