微量硼掺杂非晶硅的瞬态光电导衰退及其光致变化.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ( ## ， ， ， DST ,( RS , U34V37W ## （ ） ###%M#L##L( # L##’ NCON I@P/QCN /QRQCN ### C24 , I2W: , /S= , 微量硼掺杂非晶硅的瞬态光电导衰退及其光致变化! ! 张世斌 孔光临 徐艳月 王永谦 刁宏伟 廖显伯 （中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心，表面物理国家实验室，北京 ###$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ## ’ ## ( $ 利用)*+* 的瞬态分析测试仪对微量硼掺杂的高氢稀释非晶硅薄膜的瞬态光电导作了测量，并研究了长时间 曝光处理对瞬态光电导的影响 发现薄膜的瞬态光电导衰退可以用双指数函数来拟合，说明在样品的光电导衰退 , 过程中有两种陷阱在起作用，估算了陷阱能级的位置, 曝光处理后样品的光电导和暗电导不仅没有下降，而且还 有所上升，薄膜的光敏性有所改善 很可能曝光过程引起了硼受主的退激活，导致费米能级向导带边移动，使有效 , 的复合中心减少，样品的光电导上升, 关键词：非晶硅，瞬态，光电导，光致变化 ： ， ， !## -’% .%(# ’(# 体沉积成膜，其流量分别为 ， 和 :==; %#:==; #:==; , 引 言 衬底温度为(H ，沉积时的气压为 . I3 , 射频 （ ）功率为 样品被沉积在石英玻璃的 % A(-J@1 (K , 氢化非晶硅薄膜（ ）是一种新型的功能材 毛面上 沉积完成后在真空中蒸镀了共面铝电极， 3/ ? @ , 料，在新能源和信息显示等高技术领域起着日益重 样品狭缝的宽度为# A’;;，样品的狭缝的长度为 ［，］ ［］ % 样品的厚度为 为了消除在沉积 要的作用 , 但其光致退化 作用严重地限制了 # A ’$;; , A $# ; , ! 它的进一步发展和应用, 为克服其光致退化作用， 和操作过程中光照对样品的影响，样品在开始测试 前进行了