Enhanced Current Carrying Capability of Au-ZnSe Nanowire-Au Nanostructure via High Energy Electron Irradiation.pdfVIP

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2017-08-21 发布于湖北
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Enhanced Current Carrying Capability of Au-ZnSe Nanowire-Au Nanostructure via High Energy Electron Irradiation.pdf

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Enhanced Current Carrying Capability of Au-ZnSe Nanowire-Au Nanostructure via High Energy Electron Irradiation.pdf

CHIN．PHYS．LETT．Vo1．31，No．10(2014)107304 Enhanced CurrentCarrying Capability ofAu—ZnSeNanowire—Au Nanostructure viaHigh Energy Electron Irradiation TANYu(谭玉)，WANGYan-Guo(t~IN)。 ScienceCollege，HunanAgriculturalUniversity,Changsha410128 。BeijingNationalLaboratoryofCondensedMatterPhysics，InstituteofPhysics ChineseAcademyofSciences，Beijing100190 fReceived8April2014) ToenhancetheperformanceofnanoelectronicsbasedonAu．ZnSenanowire Vw)一Au(M-S-M)nanostructure， theeffectofirradiationofthehighenergyelectronbeam emittedfrom theelectrongunofatransmissionelectron microscopeoperated at200kV on the currentcarrying capability ofA M nanostructureisinvestigated in situ．Focusing thehighenergyelectronbeam on aAuelectrode，thecurrentcarryingcapability oftheM—S—M nanostructurecanbeenhancedsignificant withrespecttothecaseoftheelectron beam beingswitched0 如 tjscase．theelectronsin theelectrodeareexcited by theincidenthigh energy electron and can freely tunnej thro~[ghtheSchottkybarrjersatthemetal—semiconductorNW (M-s)nanocontacts，whichCaneffectivelyreduce Jouleheatdissipation andremarkablyimprovethecurrentcarrying capability ofM—s—M nanostructuredueto thefactthatthecurrentcarryingcapabilityhi曲1ydependsontheJouleheatingeffectofSchottkybarriersat M-Snanocontacts． PACS：73．40．Sx，73．63．Rt，68．37．Lp，85．30．Pq，78．55．Et DOI：10．1088／0256—307x／31／1O／1O7304 To pursue enhancementofdevice performance， conductor and metallicNW s includingGaN，ZnO， electronicdeviceshavetobescaleddowntonanome Sn02，Ti02，ZnSe，AgandAu，etc．havebeenmade terstructures．which leadstotheinnovationofsem i— toprobethethermalpropertiesoftheseNW s．t9-l‘ conductornanowires(NWs)thatenableamorea