SiO2薄膜的微观结构与驻极体特性的相关性研究.pdfVIP

郝天亮 等: 薄膜的微观结构与驻极体特性的相关性研究 SiO2 22091 文章编号: ( ) 1001-9731201422-22091-05 SiO2薄膜的微观结构与驻极体特性的相关性研究∗ 1 2 , 郝天亮 陈钢进 ( , ; , ) 1.浙江大学 物理系 杭州 310027 2.杭州电子科技大学 驻极体及其应用实验室 杭州 310018 : , 。 , , 摘 要 驻极体具有优异的电荷储存能力 其 膜进行改性等 然而 到目前为止 尚未见有关 　 　SiO2 SiO2 、 。 具有器件制作工艺可与微机械加工技术兼容 适合集 薄膜微观结构与其电荷储存稳定性之间关系的报导 , 成化生产等优点 一直是微器件和传感器领域研究的 本文报道用 PECVD和电子束蒸发两种方法制备 。 , ( )、 热点 采用电晕充电和表面电位测试等技术研究了等 SiO2薄膜 用扫描探针显微镜 SPM X射线衍射 离子增强化学气相沉积( )和电子束蒸发两种 ( )仪及激光拉曼光谱仪观察和分析了 薄膜 PECVD XRD SiO2 , , , 方法制备的SiO2 薄膜的驻极体特性 发现 PECVD方 的微观结构和组成 结合相应的驻极体性能测试 探讨 , 法制备的SiO2 薄膜的驻极体性能明显优于电子束蒸 了SiO2薄膜微观结构与驻极体性能之间的关系 初步 。 、 “ ” , 发制备的 薄膜 结合扫描探针显微镜 射线衍 提出了电荷储存的 界面陷阱 机制 对研究探索制备 SiO2 X 射及激光拉曼光谱等技术对两种薄膜的结构分析表 高电荷储存稳定性的驻极体材料具有指导意义。 , 。 明 其性能差异与薄膜形貌和微观结构密切相关 实 验 2　 　 PECVD方法制备的非晶SiO2 薄膜由纳米级非晶颗粒 , , 组成 颗粒间存在大量无序度较高的界面 由此产生的 SiO2薄膜的制备采用PECVD法和高真空电子束 “ ” 界面陷阱