SiOx薄膜微结构的正电子谱学研究.pdfVIP

第 11卷 第3期 南京工程学 院学报 (自然科 学版 ) Vo1．11．No．3 2013年 9月 JournalofNanjingInstituteofTechnology(NaturalScienceEdition) Sep．，2013 文章编号：1672—2558(2013)03—0028—04 SiO 薄膜微结构的正电子谱学研究 马敏阳，段 宇 (南京工程学院能源与动力工程学院，江苏 南京 211167) 摘 要：实验中选择 Si(N型，(100面)，3～5Q ·cm)作为薄膜样品的基底，利用射频溅射方法制备低介电常数非 晶SiO (2)薄膜，并通过真空退火来改变其缺陷态．正电子湮没多普勒展宽能谱 (DBS)测量在慢正电子束流装 置上进行．正电子湮没结果显示随退火温度增加，SiO 薄膜中有纳米晶硅生成，使正电子的捕获缺陷减少，从而使 s 参数呈下降趋势． 关键词：SiO 薄膜；射频磁控溅射；退火；正电子湮没；慢正电子束流；多普勒展宽谱；s参数 中图分类号： ResearchintoPositronAnnihilation oftheM icrostructureofSiO ThinFilms MaMin—yang，Duan Yu (SchoolofEnergyandPowerEngineering，NanjingInstituteofTechnology，Nanjing211167，China) Abstract：Si(100，3—5n ·cm)ischosenasthesubstrateofthinfilmsamplesinthetests．RFmagnetronsputtering methodisusedtopreparelow dielectricconstantamorphousporeSiO thinfilms，thesurfacedefectstatesofwhichare changedbyusingvacuum annealed．ThepositronannihilationDopplerbroadeningspectrum ismeasuredonpositronbeam device．Theresuhsofpositronannihilationshow thatasthetemperatureofphotohIminescenceincreases，nano—crystalline siliconisgeneratedinSiO thinfilms，whichreducethecapturedefectsofpositron．Thus，Sparametersshow atendency towardsdecline． Key words： SiO films； RF magnetron sputtering； photolumixtescence； positron annihilation； slow positron beam； Dopplerbroadeningspectrum(DBS)；Sparameter 非晶硅氧化物(SiO)是一种具有稳定性好、工艺重复性好，并且可与集成电路兼容的材料，作为气体 阻隔涂层、传感器、发光器件和低介电常数(1ow—k)绝缘膜广泛应用在硅器件和集成电路方面．如今国内外 已有诸多生长纳米晶硅或纳米晶硅镶嵌在介质中(如非晶硅 a—si：H、氧化硅 SiO 或氮化硅 SiN)的薄膜的 方法，如化学气相沉积(CVD)、射频溅射、硅离子注入 SiO 等方法．SiO 薄膜的孑L隙与获得低介电常数有 直接关系，对其热稳定性及 电学性能也有影响 ¨J．因此研究 SiO 薄膜的微结构有非常重要的意义． 正电子湮没谱学方法是研究材料微结构以及薄膜科学的独特分析方法，可直观和半定量地提供材料 中微观缺陷开空间尺寸、浓度及分布的信息，尤其是在半导体 si材料微结构和晶体缺陷的研究工作中得 到了充分的发挥 J．慢正电子束技术具有能量单色性及连续可调等优点，因此可以分层探测固体内部局 域电子密度和动量分布，从而得到近表面、薄膜和界面微结构和相变的许多信息