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第8章 单片机存储器扩展 Northeast Dianli University 8.1 存储器扩展 存储器的扩展,主要就是地址、数据和控制总线“三大总线”的扩展。扩展多片存储器的话,还要考虑地址分配和片选问题。 地址总线 16位 单向(CPU发出) 传输地址信息用 数据总线 8位 双向 传输数据信息 通常要求 三态 控制总线 单向 传输控制信息 (握手信号等) 1、半导体存储器简介 存储器中的信息存储是以二进制的形式存放的,通常来说一个存储单元的大小为一个字节(BYTE)。 (1)随机存储器(RAM- Random Access Memory) 双极型 MOS型(Metal Oxide Semiconductor) 静态RAM(Static Random Access Memory) 动态RAM(Dynamic Random Access Memory) (2)只读存储器(ROM-Read Only Memory) 掩膜式-ROM 可编程-PROM (Programmable Read Only Memory) 紫外线擦出-EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) 电擦除—EEPROM 也可写成E2PROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) 2、典型存储器芯片介绍 (1)静态RAM介绍 常用的静态RAM芯片有6×××系列,6116(2K×8位),6264(8K),62128(16K),62256(32K),62512(64K)等。 6264功能及其引脚 芯片共28根引脚,其中地址线A0~A12共13根,数据线D0~D7共8根,控制线4根,电源引脚2根,NC为空引脚,暂时没用。 A0~A12: 13根地址线,可以通过静态RAM的地址线的根数来判断其存储容量的大小。 D0~D7: 8根双向数据线,这8根数据线通常和单片机的数据总线相连,主要用于传递数据信息。 :片选信号,利用地址和控制信号进行译码 (2)EPROM介绍 EPROM芯片通常为27××系列,如2732(4K×8),2764(8K),27128(16K),27256(32K),27512(64K)等。 /OE:输出允许信号,该引脚输入低电平时,6264中的数据才能送到数据线上。 /WE:写允许控制信号,输入低电平时,允许数据总线上的数据写入芯片,注意不能同时进行读和写操作。 A0~A12:13根地址线,13根地址线说明其存储容量为8KB。 D0~D7:8根双向数据线。 :片选信号。 :输出允许信号。 :编程脉冲输入端。 VPP:编程电压输入端。 3、存储器的扩展和地址译码 (1)总线的构造和地址锁存器 P0口提供低8位地址,P2口提供高8位地址,为16位的地址总线,最大寻址空间为64KB。P0口提供8位数据总线。 (2)存储器地址译码 全地址译码 低位地址线 高位地址线 × × × × × × × × × × × × × 1 1 1 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 A13 A14 A15 P0口(P0.7~P0.0) P2口(P2.7~P2.0) 如果所有打“×”的地方全为逻辑“0”,地址可计算为E000H,即芯片的最小地址; 如果全为“1”,地址可计算为FFFFH,为芯片的最高地址。 部分地址译码 由于P2.7引脚没有参与译码,无论P2.7的输出逻辑“0”还是逻辑“1”,都不会影响单片机选中6264芯片, 低位地址线 高位地址线 × × × × × × × × × × × × × 1 1 × A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 A13 A14 A15 P0口(P0.7~P0.0) P2口(P2.7~P2.0) 当A15(P2.7)输出“0”时,可计算出一个地址范围:6000H~7FFFH;当A15(P2.7)输出“1”时,又可以计算出一个地址范围:E000H~FFFFH。6264占用了两个8KB的存储空间,即产生了地址重叠区 线选法 当部分地址译码少到只用一根高位地址线时,就变成了线选法, 4、存储器扩展实例 第1片6264为0000H~1FFFH,第2片6264为2000H~3FFFH。 第1片6264为0000H~1FFFH,第2片为2000H~3FFFH。 5、串行E2PROM扩展 (1)I2
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