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单片机原理及应用 教学课件 作者 王连英吴静进 主编 课件 第2章.ppt

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尚辅网 尚辅网 尚辅网 1、作为I/O端口使用时的工作原理 P0口作为I/O端口使用时,多路开关的控制信号为0(低电平),多路开关的控制信号同时与与门的一个输入端是相接的,这时与门输出的也是一个0(低电平),与让的输出是0,V1管就截止,在多路控制开关的控制信号是0(低电平)时,多路开关是与锁存器的Q非端相接的(即P0口作为I/O口线使用)。 P0口用作I/O口线,其由数据总线向引脚输出(即输出状态Output)的工作过程: 当写锁存器信号CP有效,数据总线的信号→锁存器的输入端D→锁存器的反向输出Q非端→多路开关→V2管的栅极→V2的漏极到输出端P0.X。前面我们已讲了,当多路开关的控制信号为低电平0时,与门输出为低电平,V1管是截止的,所以作为输出口时,P0是漏极开路输出,类似于OC门,当驱动上接电流负载时,需要外接上拉电阻。 下图就是由内部数据总线向P0口输出数据的流程图(红色箭头)。 尚辅网 P0口用作I/O口线,其由引脚向内部数据总线输入(即输入状态Input)的工作过程: 数据输入时(读P0口)有两种情况 1、读引脚 读芯片引脚上的数据,读引脚数时,读引脚缓冲器打开(即三态缓冲器的控制端要有效),通过内部数据总线输入,请看下图(红色简头)。 尚辅网 2、读锁存器 通过打开读锁存器三态缓冲器读取锁存器输出端Q的状态,请看下图(红色箭头): 尚辅网 2、作为地址/数据复用口使用时的工作原理 在访问外部存储器时P0口作为地址/数据复用口使用。 这时多路开关‘控制’信号为‘1’,‘与门’解锁,‘与门’输出信号电平由“地址/数据”线信号决定;多路开关与反相器的输出端相连,地址信号经“地址/数据”线→反相器→V2场效应管栅极→V2漏极输出。 例如:控制信号为1,地址信号为“0”时,与门输出低电平,V1管截止;反相器输出高电平,V2管导通,输出引脚的地址信号为低电平。请看下图(兰色字体为电平): 尚辅网 反之,控制信号为“1”、地址信号为“1”,“与门”输出为高电平,V1管导通;反相器输出低电平,V2管截止,输出引脚的地址信号为高电平。请看下图(兰色字体为电平): 可见,在输出“地址/数据”信息时,V1、V2管是交替导通的,负载能力很强,可以直接与外设存储器相连,无须增加总线驱动器。 尚辅网 P0口又作为数据总线使用。在访问外部程序存储器时,P0口输出低8位地址信息后,将变为数据总线,以便读指令码(输入)。 在取指令期间,“控制”信号为“0”,V1管截止,多路开关也跟着转向锁存器反相输出端Q非;CPU自动将0FFH即向D锁存器写入一个高电平‘1’)写入P0口锁存器,使V2管截止,在读引脚信号控制下,通过读引脚三态门电路将指令码读到内部总线。 尚辅网 如果该指令是输出数据,如MOVX @DPTR,A(将累加器的内容通过P0口数据总线传送到外部RAM中),则多路开关“控制”信号为‘1’,“与门”解锁,与输出地址信号的工作流程类似,数据据由“地址/数据”线→反相器→V2场效应管栅极→V2漏极输出。 如果该指令是输入数据(读外部数据存储器或程序存储器),如MOVX A,@DPTR(将外部RAM某一存储单元内容通过P0口数据总线输入到累加器A中),则输入的数据仍通过读引脚三态缓冲器到内部总线,其过程类似于上图中的读取指令码流程图。 通过以上的分析可以看出,当P0作为地址/数据总线使用时,在读指令码或输入数据前,CPU自动向P0口锁存器写入0FFH,破坏了P0口原来的状态。因此,不能再作为通用的I/O端口。大家以后在系统设计时务必注意,即程序中不能再含有以P0口作为操作数(包含源操作数和目的操作数)的指令。 尚辅网 §2-4 时钟电路及CPU的时序 一、时钟电路 尚辅网 二、时钟周期和机器周期 80C51单片机把一个时钟周期定义为一个节拍(P),二个节拍定义为状态周期(S)。 ⑴ 时钟周期。 时钟周期也称为振荡周期,是80C51振荡器产生的时钟脉冲频率的倒数(可以理解为时钟周期就是单片机外接晶振的倒数),是计算机中最基本最小的时间单位。 在一个时钟周期内,CPU仅完成一个最基本的动作。由于时钟脉冲是计算机的基本工作脉冲,它控制着计算机的工作节奏,所以,同一机型的计算机,时钟频率越高,计算机的工作速度就越快。 尚辅网 二、时钟周期和机器周期 80C51单片机工作的基本定时单位,简称机周。 ⑵ 机器周期。 机器周期=6倍状态周期=12倍时钟周期。 当时钟频率为12MH

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