衬底温度对超薄Cu(In%2c+Ga)Se2+材料及电池性能的影响.pdfVIP

第 12 届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文(cCIGS、CdTe 和其它化合物薄膜太阳电池) 衬底温度对超薄衬底温度对超薄 Cu(In, Ga)Se 材料及电池性能的影响材料及电池性能的影响 衬底温度对超薄衬底温度对超薄 2 材料及电池性能的影响材料及电池性能的影响 ∗ 韩安军，韩安军，孙云孙云 ，李博研，李博研，，何静靖何静靖，，李志国李志国，，张毅张毅，，刘玮刘玮 韩安军韩安军，，孙云孙云 ，，李博研李博研，，何静靖何静靖，，李志国李志国，，张毅张毅，，刘玮刘玮 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室，光电信息技术科学教 育部重点实验室(南开大学，天津大学)，天津 300071 摘要摘要: 衬底温度保持恒定，在 Se 气氛下按照一定的元素配比顺序蒸发 Ga、In 、Cu 制备厚度约为 摘要摘要 0.7 µm 的CuIn Ga Se (CIGS)薄膜。利用 X 射线衍射仪分析衬底温度对薄膜晶体结构及物相组 0.3 0.7 2 成的影响，扫描电子显微镜表征薄膜形貌及结晶状态的变化，分光光度计与积分球测量衬底温度 对薄膜光学性能的影响。研究发现衬底温度为 450 ℃时，薄膜呈现单一的 Cu(In0.7Ga0.3)Se2 相。衬 底温度低于 450 ℃，CIGS 薄膜存在严重的 Ga 的两相分离。薄膜表层的高 Ga 含量以小颗粒形式 存在，均匀分布于薄膜表面，增加了薄膜表面的粗糙度，提高了超薄 CIGS 材料对光的吸收。通 过对电池性能的分析发现，低温制备的超薄 CIGS 电池，短路电流密度相对较高，CIGS 电池可实 现低温、超薄、高效。 关键词：关键词：Cu(In, Ga)Se ；衬底温度；超薄；太阳电池 关键词关键词：： 2 1 引言1 引言 [4] 1 1 引言引言 于薄膜表面方向上贯穿整个薄膜 。因此，对于相 Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) 电池是一种非常有前途的 同的结晶状况，超薄 CIGS 吸收层应该需要更低的 薄膜太阳能电池，其最高光电转换效率已达到 衬底温度，这就为发展低温超薄 CIGS 电池提供了 [1] 20.3% ，是所有薄膜电池中效率最高的 。但是由于 一种可能性。另外，若能适当降低衬底温度，不但 制备 CIGS 薄膜的 In 、Ga 为稀有元素，地球上含量 可以降低能源消耗，同时也利于在柔性聚酰亚胺(PI) 有限，且价格昂贵，这在一定程度上限制了 CIGS 衬底上应用。本文即针对上述问题系统研究了衬底 薄膜电池的发展。幸运的是 CIGS 薄膜具有较高的 温度对超薄 CIGS 吸收层材料及电池特性的影响。 5 -1[2] 光吸收系数，最高可达 10 cm ，1µm 的吸收层厚 2 实验2 实验 2 2 实验实验 度即可对光完全吸收。因此可以在电池性能减退不 太多的情况下，把 CIGS 吸收层厚度从常规的 在苏打玻璃(soda lime glass-SLG)衬底上，直流 [3]