SOI材料地发展动态.pdfVIP

222 华北地区硅酸盐学会第八go学术技术交流会论文集 SOl材料的发展动态 张书玉1 张维连1 索开南1 张生才2姚素英2 (1河北工业大学、E导体材料研究所天津300130) (2天津大学电子信息工程学院天津30()072) 摘要：由于SOl材料具有自隔离，体漏电小，寄生电客小，抗辐射，无体硅闩锁效应 等特点，被套认是2l世纪替代体硅的新型信息材料。本文主要简要地介绍了SOl材料的 主要性能特点以及国内外S01材料制备的几种主要方法。并指出Smart-elllSOl技术集 SIMOX技术和BESOI技术的优点于一体。 Smart-cutSIMOX 关键词：SOI SDB 1 SOI材料的提出 On SOl(SiliconInsulator，绝缘体上的硅)材料的提出与应用是因为体砖平面工艺在制作亚米级 CMOS超大规模集成电路时遇到『i午多新的挑战。随着器件特征尺q‘的减小，器件内部的pn结之 间以及器件与器件之间通过衬底的相瓦作用愈来愈严重，出现了一系列材料、器件物理、器件结构 和上艺等方面的问题，使得深弧微米馋砖集成电路的集成度、可靠性以及电路的性能价格比受到影 响。这些问题包括一“： 1．1体硅CMOS电路的寄生可控硅闩锁效应以及体硅器件在宁宙射线辐射环境中出现的软失效 效应等使电路的可靠性降低。 1．2随着器件尺寸的缩小，体硅CMOS器件的各种多维及非线性效应如表面能量能级量子化效 应、隧穿效应、短沟道效应、窄沟道效应、漏感应势垒降低效应、热流子效应、亚阙值电导效应、速度 饱和效应、速度过冲击效应等变得1‘分显著影响了器件性能的进一步改善。 1．3器件之间隔离区所占的芯片面积随器件特征尺寸的减小而相对增大，使得寄生电容增加，盟 连线延长，影响了集成度及速度的提高并造成了功效和成本的增加。 SOl材料以其独特的结构有效地克服了体硅材料的不足，更充分地挖掘了硅集成技术及硅 MEMS技术的潜力，是研究和开发高速、低功效、高集成度、高可靠性超大规模集成电路和高性能 MEMS的基础材料。国内外许多徽电子领域的著名专家均预测，SOl材料将成为特征尺寸小于 0．1／an，电源电压低于1v的超大规模集成电路的主流材料。 2 SOI材料结构与优越性 所谓SOI材料是指具有图1结构的材料。树底硅作为机械支撑(厚度约为几百微米)，表面尊 晶硅用于制造器件(厚度1，一)。中间完整的埋层介质(通常为SiOz)作为隔离可避免或降低体硅 器件中存在的各种寄生效应。SOI材料的特殊结构使它有可能克服l：述体硅集成的各种水 陶瓷、晶体 足-2J、扭。 2．1 SO!器件由于采用绝缘介质隔离，器件与衬底之间不存在电流通道，消除了体硅电路中常见 的门锁效应，提高r电路的可靠性。 2．2 SOI器件具有良好的抗辐射特性(即抗软失效能力)。 图1 SOI结构 2．3 SOl技术可以抑制或消除体硅器件因特征尺寸减小而产生的各种不良效应。 2．3，l SOI技术有效克服r短沟道效应。 2．3．2SOI器件比体硅器件有更优异的亚阚值特性。 2．3．3SOl技术使器件的体效应小于体硅器件。 2．3．4SOI技术能够防止出现热电子效应。 3 SOl材料的制备 SOI材料之所以能够被广泛应用，除了它自身良好的特性外，在很大程度上还因为到目前为止 已经发展了多种成熟的制备技术。经过多年的研究，已经开发了下列SOl技术。 3．1氧离子注入隔离技术(SIMOX) Ion of StMOX的英文全称为“S8parationby hnp／antationOxygenf4]，[53意即注氧隔离或注氧分离。 SIMOX工艺的原理是首先将～定能量和剂量的氧离子注入到硅衬底上，典型的数值为离子能量 部表面附近还存在约40hm厚的单晶硅层。对样品进行退火时，si02层j二方的非晶硅层以这层单晶 硅层为籽晶使整个非晶层再结晶成为单晶硅层，典型的退火温度为1150。c见图2所示。 3．2硅片直接键合(sDB) 将两片硅片经过一定的处理直接键合在一起，这种 技术