SnO-%2c2-和SnO-%2c2-基纳米材料与制备、表征和磁性与研究.pdf

摘要 摘要 随着自旋相关现象的发展及其极具潜在的应用性，自旋电子学的研究正如 火如荼的展开。在相关自旋电子学与电子自旋器件研究系统中，磁性半导体被 认为是下一代利用电子的自旋自由度制成微电子器件的主要材料，其中最受瞩 目的为稀磁半导体，它是将磁性过渡族金属离子替代半导体中的非磁性离子， 使其具有铁磁性。目前磁性半导体研究中存在几大问题：(1)材料的居里温度 低于室温；(2)铁磁性来源的理论不确定。目前主要存在两种观点：一种为由 载流子诱导的铁磁交换耦合，如砌ⅨY、双交换作用。另一种是与样品中的缺 陷有关的束缚磁极化子模型。因此深入探讨稀磁半导体中的铁磁性来源至关重 要。近期有人发现未掺杂的半导体中存在室温铁磁性，此类铁磁性被称为“dO铁 磁性”。这一发现颠覆了之前的观点，使研究者重新思考掺杂元素对半导体的磁 性是否真正起到调制的作用。到目前为止，dO铁磁性产生的机制还未确定，因 此我们有必要对dO铁磁性来源及掺杂元素对半导体磁性的作用作进一步的研 究。 本论文采用溶胶．凝胶法、化学气相沉积法和碳热还原法分别制备了Sn02 及Sn02基纳米材料，对材料的制备工艺、形貌及光学、磁学特性进行了系统研 究，探讨了铁磁性的真正来源。主要结果如下： A．V掺杂Sn02薄膜系统 采用溶胶．凝胶法和旋涂技术，有效的控制实验条件，制备了均匀、无龟裂 Snl．xV。02薄膜样品，对其铁磁性来源进行了深入系统的研究。结论如下： 1)所有Snl．xV。02薄膜样品呈现金红石相结构。随掺杂量的增加，晶粒粒径减 小，表明V离子的掺杂抑制了晶粒的生长；晶格常数随掺杂量的增大呈减 小的趋势，说明V离子进入到Sn02晶格中。结合XPS结果得出：V离子以 V4+形式取代了晶格中Sn4+的位置，形成了Snl．。V。02固溶体。 R与r¨2的非线性关系分析排除了样品中V氧化物和V团 测试结果，及log 簇的存在，确定样品的磁性是内禀的。在不同V掺杂量的样品中，每V4+磁 矩随掺杂量的增加而减小。对这种现象的解释为：随V掺杂量的增加，近 摘要 邻矿+和02。之间形成v4L02一-v4+，发生反铁磁的超交换相互作用的几率 增加，导致每V磁矩的减小。 3)电性测量表明Snl．xV。02薄膜样品中的载流子浓度随V掺杂量的增加而减 小，但载流子浓度较小，最大为1016f2·cm量级，不符合需要高浓度的载流子 的RKKY模型，因此磁性来源不能用RKKY模型解释。 4)第一次通过锡蒸气环境下的退火实验来增加样品中锡间隙浓度，研究锡间隙 对样品的铁磁性的影响。得出锡间隙对磁性没有贡献的结论。 5)发现样品在真空环境下的退火可以诱导铁磁性，而在氧气中的退火使铁磁性 减弱或消失，由此证明氧空位对Snl．xV。02系统的铁磁性有着重要的影响。 因此，以氧空位为媒介的束缚磁极化子模型适用于解释Snl．xV。02系统的磁 性来源。 B．准一维Sn02纳米材料系统 采用金催化剂辅助的化学气相沉积法制备了准一维Sn02纳米材料，首次系 统地研究了反应温度、反应气体02流量、载气心流量、催化NAu层的厚度及衬 底材料对产物形貌、结构和磁性的影响，深入探讨了dO铁磁性的来源。得到以 下结论： 1)反应温度对产物形貌有直接的影响。随温度升高，形貌由纳米棒变成纳米 线，线径随温度的升高而增大。生成纳米线的最低温度为700℃。所有样品 均具有室温铁磁性，磁性随温度的升高而减小。 2)氧气流量对产物形貌有重要影响。随氧气流量的增加，形貌依次由纳米线向 纳米带、纳米片及不规则的微米量级的片状结构转变。因此对于Sn02纳米线 的制备，氧气的流量是重要的因素之一。随氧气流量的增加，样品磁性逐渐 减小，当为30sccm时，磁性消失。 3)催化剂金层厚度在很大程度上影响纳米线的直径。金层厚度越溥，纳米线线 径越小。因此可以通过改变金层厚度对纳米线的尺寸进行调控。同时，其磁 性随金层厚度的增大而减小。 4)载气～流量和衬底材料对Sn02纳米材料的形貌和磁性都没有影响。Ar流量 影响纳米线的生长率，而衬底只影响纳米线表面的光滑度。 摘要 样品的铁磁性是本征的。 6)样品形貌直接影响样品的磁性。通过PL和XPS等检测