PHEMT电离辐照效应研究的论文.pdfVIP

第19卷第5期 传感技术学报 V01．19No．5 cHINEsE OFSENSORSANDACTUATORS 2006年10月 JOURNAL Oct．2006 onIonizationEffectofPHEMT Study YANG Guang-linh，DULeil，ZHUANGH—qi ofTechnologyPhysics，XidianUniversity，Xian ，1．Institute 710071，China．、 ＼2．MicroelectronicInstitute，Xidian 710071，C五ina／ University，Xfan Abstract：This ontheionizationeffectof measuredthe卜Vcharacteristicand paperstudy PHEMT．Though thelow foundthatthe ofPHEMTisnotinfluence ir— noise，we evidentlybygamma frequency performance thedraincurrent mechanismandthe oflow noiseof radiation．Analyzed degraded origin frequency of isthe forthedraincurrent PHEMT，wefoundthatinterfacestates unctionmaincause hetero-j degrada— moreinterface tionandthe noise．The irradiationwillnotintroduce 1argerlow-frequencygamma any states，andthatcan theresultsof inmicrocosmic． explaineffectively experiment noise Keywords：ionizationirradiation；PHEMT；interfacestates；low-frequency EEAOC：2560S；2550R PH EMT电离辐照效应研究 杨广林 1+ 杜 磊1，庄奕琪2，何 亮1，胡 瑾1，刘宇安1 ，1．西安电子科技大学技术物理学院，西安710071“ ～2．西安电子科技大学微电子学院，西安710071／ 摘 性能影响并不明显．分析了PHEMT漏电流退化的机理以及其低频噪声的来源，发现异质结界面态是引起漏电流退化和产生 较大低频噪声的主要原因，但辐照不会在异质