ZnO薄膜的结构与发光性质研究.pdfVIP

第卜t届今闻半导体物4学术盘Ⅸ论文集 tp国·长春2009年8月16H一20日 ZnO薄膜的结构及发光性质研究 马艳，牡国同，夏晓川，赵旺，王谨，董鑫．张宝林 集成光电了学国家重点联合实验室，吉林大学电子科学与工程学院，吉林长春130012 com Email：Jlumayan@126 ZnO是宽直接带隙1I-VI族半导体材料，自从1996年ZnO薄膜光泉浦紫外激射撤导后， 再次引起人们的极大关注。室温下，ZnO的禁带宽度为3．37eV，其能带山O。满的2p电子能 帽比，是更适合H】于室温或更高温度F的紫外光发光材料。目前，对于ZnO材料的缺陷、结 构及其发光性质等基本物性还处在不断研究之中，这些基本问题的不断深^理解无疑会对 ZnO基短波长光电器件的制作及其性能的提高具有重要意义a zn0材料易于成膜，多种技术都叮以进行ZnO薄膜的外延生长。我们采用低压MOCVD 方法来生长ZnO薄膜，=乙基锌DEZn和02分别作为锌源和氧源。衬底A1203于年长前在 甲苯、丙酮、乙醇中各超声清洗5分钟，经去离子木冲洗干净，艟后经高纯Nz吹干后送入反应 审。具体的牛长条件如丧1所示。 表1 ZnO薄膜生长条件 ZnO晶体中(o000面有最低的表面自由能，在平衡状态下是光滑嘶，因此ZnO薄膜在生 长过程中有强烈的(0001)面择优取向特性。图1给出了上述条件下生长的ZnO样品的X射线 衍射谱图(XRD)，叮以看出，20--3438。，这对应ZnO的(o002)衍射面，所生长的薄膜为择 优c轴取向。图2足样品的Raman图。ZnO属于六方晶系纤锌矿结构，具有C“点群对称性． 如果入射光垂直样品的表面入射．只有A，(LD)和E2(high)振动模式能够观察到n图2中，位 于43194c盯’处的峰为E2(h-曲)振动模式．它是纤锌矿ZnO的特征振动峰，同群论的预测值 11相比，明显偏向低频侧，说明在所生长的薄膜巾存在着张应力，这同XRD [Fa(high)=437cm 的测试结果相一致。A．fLO)振动模则位于577cm-1,它同薄膜中存在的氧缺陷有关。图中其余 振动峰均束自A1201村底。 从 【=：；L—L一 卜F‘E丽 圉IZnO薄膜的x射线衍射刚 图2ZnO薄膜的Ramatl谱 样品的光致发光谱俨L)在低温下测得，激发光源为He-Cd辙光器。在可见光区并没有现 第十七届全国半导体轫目学术会议论i颦 中国·长春2∞9年s月16H-20日 察到ZnO薄膜的发光峰．辩膜中与绿带发射相关的氧空位和锌问隙菩点缺陷浓度较小．圈3 给出了薄膜的变温PL谱，测试温度范围从240K到12K。随温度的降低，近带边发光峰强度 在运渐增强，其峰强随温度的变化规律服从下述表达式： ”c唰一争 其q一．I(n足温度为T时紫外峰的强度，E．是热激活能，s是频率因子。紫外峰强度同温度的 依赖关系在罔4中标明．取最初始七个线性点，直线的斜率则蛤出热撒活肫数值 B=15405±2412meV，这同缺掐束缚激子的欷活能相当。Hall测量结果显示该样品为n型． 因此，初步判断图3中低温F的紫，}峰来自于施主束缚激子的辐射复合。对紫外峰能量位置 同温度关系采用Varshni方程和Mw方程进行拟台，进一步表明紫外峰确来自施主束缚撤子 的辐射复合。以上的测量和分析可蚍判断这千ZnO样品的晶体质量和残余应力等物理性质． 而提高晶体质量．降低残余应力及缺陷密度，才会更易实现ZnO材料的P型掺杂．并改善其 技光性能，实现电泉浦ZnO基结型器件良好的艘光与激射。 圆一^=_c●-E__‘一c一 o ”。。鼎．“ ” 图3 ZnO薄膜的变温PL谱 圈4zn0薄膜PL峰强度同I，r的依赣关系