PECVD法沉积氮化硅薄膜退火前后电学性能变化研究.pdfVIP

PECVD法沉积氮化硅薄膜退火前后 电学性能的变化研究 郭贝1．-，张燕1一，张兵1，-，李洪源1，任丙彦1励旭东2，勾宪芳2 (1．洲匕]j芝大学信息功能材j惭究所，天津300130；Z北京市太阳能研究所，北京100083； 3．中国科学院电工所，北京100083) 摘要： 利用等离子体化学气相沉积伊ECⅥ))法沉积SiN薄膜，衬底采用多晶硅(厚度大约为 3删lun，电阻率为0．5—2．0胁n)，采用常规制备参教条件沉积SiN薄膜，之后对样品进行不同 100℃， 条件的热处理．热处理采用快速热退火(RTA)的方式在氮气氛下进行退火温度为350C．1 退火温度为15s-180s．最后，通过运用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)对样品进行测试，从而 获得薄膜少于寿命．从测试结果可以看出，退火引起大量H的选出，使得样品的缺陷态密度大大 增加，进而导致少子寿命降低，尤其在退火温度大于650C后，少子寿命下降趋势急剧增大． 关键词：多晶硅；单晶硅PECVD；氮化硅；热处理；光电性能 1．引言 氮化硅薄膜作为一种物理、化学性能十分优良的介质膜，具有优良的光电性能、化学稳定性，热稳定 性和抗高温氧化性，抗杂质扩散和水汽渗透能力强，硬度高，耐磨性能好。因此，氮化硅薄膜首次应用于 半导体器件和集成电路的制造工艺中【l】。氮化硅良好的光学性能、化学性质及其钝化性能直到1981年才逐 步被引入晶体硅太阳电池的制造工艺中，随后得到了迅速的发展【zJ。PF,CVD制备的SiN薄膜是非晶体膜， 其结构与短距离的化学键有关。非晶性的减反射膜对于硅太阳电池很重要，因为晶粒界面引起光的散射而 使透过率下降，而且杂质很容易沿晶粒界面移动以致对电池性能产生有害影响。 氮化硅薄膜中除了Si-N成分以外，还含有相当可观的弱键氢和痕量氧。薄膜的含H量较高，可达20-- 30％(原子百分数)．过高的含H量对膜的结构、密度、折射率、应力及腐蚀速率等均有不利影响。但适 量的H会对表面起钝化作用。硅和氮化硅界面处电荷的界匦态密度很高，这种界面态对界面附近的载流子 会起到陷阱或复合中心的作用。氢钝化能有效降低表面复合速度，增加少子寿命，从而提高太阳电池效率。 2实验 2．1样品 minxl00nmm0。5 本试验采用的样片为P型多晶硅片(100 mm)，电阻率0．5～2．0mm，厚度为330±40岍I。 2．2样品预处理 理想的硅片表面应该是硅原子有规则排列终止所形成的表面，表面内部的硅原子以共价键结合，表面 外部无其它原子，所以，外方向价键是未饱和的，也就是悬挂键，存在着可以俘获电子的表面态。真实硅 片表面是内表面和外表面的总和，内表面是硅与自然氧化层的界面，既存在受主能级又存在施主能级，能 级密度为t10儿～lO比-F／℃舶n2．外表面是自然氧化层和环境气氛的界面，它也存在—些表面能级，并吸附一 些污染杂质原子，而且不同程度受到内表面能级的影响，可以和内表面交换电荷。 实验中硅片预处理过程如下。 1)加入丙酮，超声清洗10分钟；之后加入乙醇，超声清洗5分钟。初步去除油脂、蜡等有机物； 2)加入m号}苛洗液，煮沸至双氧水完全分解，去除残留有机和无机物质； 3)使用I号、II号清洗液，各煮10分钟，彻底去除衬底表面的各种杂质； 4)将硅片放入10％的HF溶液中，去除表面自然氧化层； 5)将硅片放^氮气保护的石英腔，用红外灯娥干备用口 注：采用上述冼液处理后，均用去离子水冲洗干净。 2．3朝制备 采l阿cvD舯聃目鲁●缸 2．4热煺 本试验采时侥速热退火方式对样品进行热处理，得出在不同温度及不同时间的退火条件下薄膜性能的 s。 变化。退火温度为3∞℃、350℃、650C、800c、900C、I100C．退火时间均为15s，40s、60s、120 3测试与分析 3．1少子寿帝 由于所用得多晶硅片是未抛光的硅片，所以在进行沉积氟化硅薄