Al%2fZnO%3aAl薄膜结构的荧光增强效应研究.pdfVIP

Al/ZnO:Al薄膜结构的荧光增强效应的研究 徐天宁1，2 卢忠1隋成华1吴惠桢2 1浙江工业大学之江学院理学系，杭州 310024 2浙江大学物理系，现代光学仪器国家重点实验室，杭州 310027 摘要:利用物理气相沉积设备制备了Al/ZnO:Al薄膜结构，研究了该结构的发光特性。结果表明，在ZnO:Al薄膜表面镀一层 AI岛薄膜可以增强其带边荧光，同时在475nm附近产生蓝光峰。通过在Al岛薄膜和ZnO:Al薄膜之间引入一层5nm的Ta205 绝缘层可以使ZnO:Al薄膜的带边荧光和蓝光显著增强，并随着Ta2.05绝缘层厚度的增大而减弱。而且，通过对Al/ZnO:Al样品 进行退火处理可以使蓝光峰增强83倍。基于局域表面等离子体共振理论，计算了Al/ZnO:Al纳米结构的光学散射和吸收截面曲 线。计算结果较好地解释了实验观察到的荧光增强现象。 关键词: ZnO:Al薄膜；局域表面等离子体；荧光增强 O472+.3 A EmissionenhancementfromAI-cappedZnO:AIfilms TianningXu1,2ZhongLu1ChenhuaSui1HuizhenWu2 1.DepartraentofScience,ZhijiangCollegeofZhefiangUniversityofTechnology,Hangzhou,310024,China;2.StateKeyLaboratoryfor ModernOpticalInstruments,DepartmentofPhysws,ZhejiangUniversity,Hangzhou310027,China Abstract:Al/ZnO:Alfilmstructureswerefabricatedbyphysicalvapordeposition,andtheopticalpropertiesofwhichwerestudied.It wasfoundthatAlcappedZnO:AIcanenhancethebandgapemissionandgenerateanewblueemission(475run).Whena5nmTa205 spacerwasinsertedbetweenAlandZnO:Al,furtherenhancementswereobservedforbothbandgapandblueemission.Theenhancement raitodecreaseswiththethicknessoftheTa2O5spacer.Moreover,theblueemissionincreaseswithannealingtemperatureandthemax enhancementratiois83.Accordingtolocalizedsurfaceplasmonresonancetheorey,thescatteringandabsorptioncrosssectionsof Al/ZnO:Alwerecalculated.Thetheoreticalresultscaninterprettheexperimentalphenomenareasonably. Keywords:ZnO:Alfilms； localizedsurfaceplasmon； emissionenhancement 第十七■●?■化奢静半习L体．饿波嚣件和光电■L件掌术●·议 射线衍射仪和扫描电子显微镜等对 AI／ZnO：AI样品的荧光特性，晶体结构和表面 图1(b)和(c)所示。可以看出，ZnO：AI薄 形貌等进行了研究。研究发现，在ZnO：AI膜具有(002)择优取向生长的特点，衍射峰 镀一层灿膜不仅可以使得带边荧光(370nm)位于34．53。，大于纯ZnO薄膜的(002)衍 出现增强，而且可以产生蓝光峰(475nm)。该射峰(34．42。)，说明～Ⅳ替代了部分Zn2+，导 蓝光峰在以往文献中未见报道。通过在Al致晶格常数减小，从而使得衍射角增大。。通 和ZnO：Al之间引入一层Ta205绝缘层可以 过和图l(b)的比较可知，A1／ZnO：AFSi样品 有效提高带边荧光和蓝光峰的强度。而退火 中只有～的(11