AlN蓝宝石模板上生长的 Al 0．6Ga0．4N薄膜结构与光学性能研究.pdfVIP

第 8卷 第 3期 材 料 研 究 与 应 用 Vo1．8，No．3 2014年 9月 MATERIALSRESEARCH AND APPLICAT10N Sept．2014 文章编 号 ：1673-9981(2014)03—0169-04 AIN／蓝宝石模板上生长的A10．6Ga0_4N薄膜 结构与光学性能研究* 王君君 ，刘宁炀，张 康 ，张志清，赵 维，范广涵，张 娜 ，陈志涛 广东省工业技术研究院(广州有色金属研究院)，广东 广州 510650 摘 要 ：采用 MOCVD方法在 AIN／蓝宝石模板上生长高铝组分 A1 Ga N 薄膜 ，并采用高分辨率 XRD(HRXRD)及 阴极荧光 (CL)方法对其进行 了表征 ．结果表明，A1GaN薄膜产生 了相分离，其原因为 厚膜 中的应力弛豫及 A1原子低 的表面迁移率． 关键词 ：相分离 ；A1N／蓝宝石模板 ；A1。Ga N 中图分类号 ：TN304．2 文献标识码 ：A A1GaN材料可广泛应用于紫外光 电子器件及 高频、高功率 、耐高温 电子器件，因而受到极大的关 1 实验部分 注 口]．近年来 ，人们对 A1GaN基器件 的研究取得了 很大进展[3]，突出表现在 AIN／蓝宝石模板上生长 本实验的样 品是采用金属有 机物气相沉 积法 A1GaN材料及其质量改进．A1GaN基器件性能的进 (MOCVD)在 AIN／蓝宝石模板上生长 A1。l6Ga0_4N 一 步提高依赖于对 AlGaN材料特性的深入研究．由 薄膜．膜的生长温度为 1050℃，生长压力为 5×10。 于 Al—N键和 Ga—N键特性 的差异 ，Al摩 尔组分对 Pa，三 甲基镓 (TMGa)、三 甲基铝 (TMA1)及氨气分 A1GaN 的质量有重大影响，并将影 响材料的光 、电、 别作为 Ga源、Al源和N源．高纯氢气为载气 ，稀释的 热等其它性能．对不 同Al摩尔组分的A1GaN性能 硅烷(SiH )为 n型掺杂剂．首先在 A1N／蓝宝石模板 的研究 已有诸多报道 ，P．Chen等人报道 了在 A1一 上沉积一层 0．5am厚非掺杂的AlGaN薄膜 ，然后再 GaN／GaN(Al摩尔组分为 0．23和 0．4)异质结生长 生长 1．0am 掺硅 的A1GaN薄膜．在沉积过程 中，保 过程 中有岛状结构形成，并解释了这种 岛状结构可 持 AlGaN中Al组分不变 ，当SiH 流量分别为0，0．1， 能是 由于材料表面原子迁移率不 同而形成 的 j． 0．5，0．7，1．0L／min时，生长得到的样品分别命名为 SunQ 等 人 用 阴极 荧光方 法 研 究发 现 ，在 Al 样品A，B，C，D，E．A～E5个 A1GaN薄膜样品的膜厚 Ga N薄膜生长方 向上 Al的分布相对均匀 ，而横 均为 1．5am．实验中还制备 了样品F作为对 比，F是 向则发生相分离l8]．PinosA 等人通过室温扫描近 在 AIN／蓝宝石模板上 只生长 0．5,am 的A1GaN膜， 场 PI光谱测量了AlN摩尔组分从 0．3到0．5变化 不生长厚 1．0 m掺硅的A1GaN膜． 的AIGaN外延膜的势能起伏 ]．然而 ，更高 Al组分 采用Bruker公司生产的I)8型高分辨率 x射线衍 的A1GaN薄膜性能的报道还很少见．本文采用高分 射仪，对所制备的样品进行 co-20扫描以研究其结构性 辨 XRD和低温阴极荧光表征方法研究 了A1。．。Ga叫 能，该衍射仪 的x射线为 Cu的Ka线，其波长值 一 N薄膜的结构性能及光学性能． 1．O5×10 m 通过配有 CL设备的扫描电镜，在 1OK 收稿 日期 ：2013—11-12 *基金项 目：广东省战略性新兴产业 LED专项