KH550修饰Al2O3及其对PIAl2O3薄膜性能的影响.pdfVIP

年第 期( )卷 ２３１２６ ２０１４ ２３ ４５ 文章编号: ( ) １００１Ｇ９７３１２０１４２３Ｇ２３１２６Ｇ０５ 修饰 及其对 / 薄膜性能的影响∗ KH５５０ AlO PIAlO ２ ３ ２ ３ , １２ １ １ １ １ , , , , 刘立柱 李园园 翁 凌 丁 军 崔巍魏 　 　 ( , ; １．哈尔滨理工大学 材料科学与工程学院 哈尔滨 １５００４０ , ) ２．哈尔滨理工大学 工程电介质及其应用教育部重点实验室 哈尔滨 １５００８０ : , 摘 要 通过调整 的含量对 粉体表面 纳米粉体试图改善粉体分散情况及有机无机界面 取 　 　 KH５５０ AlO ２ ３ , ( ) , . 进行改性 并用红外光谱 和 射线衍射 得一定成果 但效果不明显 FTＧIR X ( ) , 对改性后的粉体进行表征 表征结果显示 为了改善 复合薄膜中 基体与无机粉体的界 XRD PI PI . , , KH５５０成功的键合到 AlO 粉体表面 然后分别使 面情况 提高 PI薄膜性能 本文研究了不同含量 ２ ３ 用 以及改性 制备了一系列无机粉体含量 修饰的 对 / 薄膜性能的影响. AlO AlO KH５５０ AlO PIAlO ２ ３ ２ ３ ２ ３ ２ ３ ( ) , , 为 质量分数 的 复合薄膜 通过扫描电子显微 首先 本文通过调整 的含量对 表面进行 １６％ PI KH５５０ AlO ２ ３ ( )